導通電阻（RDS(on)）是指 MOSFET 處於導通狀態時汲極－源極間的電阻值。在功率元件中，此電阻造成的導通損耗（I²×RDS(on)）直接導致發熱與效率下降，因此與耐壓並列為最重要的規格值。
導通電阻是多個成分的串聯和：通道電阻、JFET 區電阻、漂移層電阻、基板電阻，以及導線與封裝的寄生電阻。在高耐壓元件中，漂移層較厚且濃度較低，因此此成分佔整體的大半。反之，在低耐壓產品中，通道與封裝的貢獻相對較大。
材料的性能極限以「導通電阻與耐壓的取捨」來表示，並以 Si 極限、SiC 極限等理論曲線來討論。SiC 的這條曲線本身就比 Si 有利約2個數量級，在相同耐壓下能大幅降低導通電阻。超接面結構則是為了在使用 Si 的情況下突破此理論極限而發明的結構。
實務上需注意，導通電阻取決於與面積的權衡。增加晶片面積可降低導通電阻，但成本與寄生電容也會增加。因此在設計上，不是比較導通電阻本身，而是以「導通電阻×晶片面積」（RonA，單位為 mΩ·cm²）這項指標來比較材料與結構的優劣。