超接面（SJ）結構是指在漂移層中交替排列 p 型與 n 型柱（pillar），於關閉時使彼此空乏化、讓電場均勻分布的功率 MOSFET 結構。於1990年代提出，使得在使用矽的情況下突破「導通電阻與耐壓的取捨極限（矽極限）」成為可能。
在一般的 MOSFET 中，為了提高耐壓必須降低漂移層的不純物濃度，而這直接導致導通電阻增加。在 SJ 結構中，p 柱與 n 柱的電荷相互抵消而空乏化，因此能在維持 n 柱高濃度的同時保持高耐壓。結果是在相同耐壓下，導通電阻可降至數分之1。
製造並不容易。使用的方法有挖深溝槽後以磊晶成長回填的方式，以及反覆多次進行磊晶成長與離子佈植以堆疊柱體的方式（多層磊晶，multi-epi），兩者的製程步驟都多、成本高。此外，p 與 n 的電荷平衡一旦偏移，耐壓便會急遽下降，因此濃度控制的精度左右良率。
SJ MOSFET 主要用於600～900V 級，廣泛應用於伺服器電源、太陽能逆變器、空調的 PFC 電路等。此電壓帶也是與 SiC 競爭的領域，正依成本與性能的平衡逐漸區隔市場。