功率半導體是什麼

功率半導體製造設備是製造 IGBT・MOSFET・SBD・GaN HEMT・SiC MOSFET 等功率元件的設備，決定電力轉換的效率、耐壓與耐熱性能。矽功率元件的特徵製程為離子佈植（高能量・高劑量）、厚膜磊晶成長與晶圓薄化；SiC・GaN 元件則另外需要高溫退火、高品質磊晶與專用蝕刻機。在電動車・再生能源領域快速成長的背景下，需求正急速擴大。

重點整理

IGBT・SiC MOSFET・GaN HEMT 等功率元件專用設備

以高能量・高劑量離子佈植，將雜質控制佈植至晶圓深處

以厚膜磊晶成長（數～數十 μm）形成漂移層

晶圓背面薄化（晶背研磨）與歐姆接觸形成是後段製程的要點

隨 EV・再生能源需求擴大，SiC 設備的投資急增

常見問題

SiC 元件製造中與矽差異很大的製程是什麼？

SiC 在離子佈植後的活化退火需要 1700℃ 以上的超高溫，因此需要專用的高溫爐。此外，MOSFET 的閘極氧化層（SiO₂）品質相較於 Si 容易偏低，高品質氧化層形成技術成為差異化關鍵。

主要設備廠商有哪些？

離子佈植有應用材料（Applied Materials）・Axcelis（美），磊晶有 Epigress（瑞典）・東京威力科創（TEL，日），薄化有迪思科（DISCO，日）・岡本工作機械（日）等主要廠商。

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