G10-GaN

パワーエレクトロニクスの量産工場向けに設計された全自動・小型の MOCVD クラスター装置。シリコンファブ向けに作られている。

G10-GaNとは

G10-GaN は、AIXTRON の GaN（窒化ガリウム）向け MOCVD 装置です。150mm／200mm ウェーハに対応し、3 つのプロセスチャンバーをコンパクトなクラスターにまとめて、クリーンルーム面積あたりのウェーハ処理数を最大化しています。

大容量バッチの Planetary Reactor 技術を使い、ウェーハごとの閉ループ表面温度制御と、膜厚・組成の均一性を制御する 5 系統のインジェクターを備えます。ウェーハ面内均一性は従来比 3 倍に改善し、パーティクル密度は約 0.1/cm² と低く抑えられています。

50 枚のカセット・ツー・カセット搬送による全自動のウェーハハンドリング、チャンバー間のマッチング、自動チャンバークリーニングを備え、装置稼働率は 90% 以上です。エピコストは他のどのプラットフォームより 25% 以上低いとしています。AIX G5+ C からのプロセス移管にも対応します。

対応材料	GaN
対応ウェハ径	150 mm／200 mm
特徴	3 チャンバーのコンパクトなクラスター、50 枚のカセット搬送、全自動
主要用途	GaN パワー・RF デバイス

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目	AIXTRONG10-GaN	Veeco InstrumentsPropel® GaN MOCVD	大陽日酸（Taiyo Nippon Sanso）SR-4000HT
対応材料	GaN	GaN	AlN・AlGaN などワイドバンドギャップ材料
対応ウェハ径	150 mm／200 mm	200 mm	4 インチ × 1 枚／2 インチ × 3 枚（SR4000）
特徴	3 チャンバーのコンパクトなクラスター、50 枚のカセット搬送、全自動	関連機種 Lumina（As/P 系・TurboDisc 技術）	研究開発向け SR シリーズ（量産は UR シリーズ）
主要用途	GaN パワー・RF デバイス	GaN パワー・5G RF・フォトニクス	パワーエレクトロニクス材料の研究開発