RF 半導體製造設備（GaN/GaAs）是什麼
RF 半導體製造設備是以 GaN（氮化鎵）・GaAs（砷化鎵）・InP（磷化銦）等化合物半導體為基板，製造在高頻段（微波・毫米波）運作之功率放大器、開關、LNA 等元件的設備。主要市場為 5G 通訊基地台（3.5～39GHz）、衛星通訊、車用雷達與國防用途。有 GaN-on-SiC（高輸出・高頻特性）與 GaN-on-Si（低成本量產）2 種做法，兩者的 MOCVD（有機金屬化學氣相沉積）磊晶成長條件與基板處理各不相同。閘極長度 100nm 以下的次微米加工、GaN 蝕刻的高選擇比、閘極凹槽形成等，都要求專用的設備精度。
相關用語
比較文章
- SiC與GaN功率半導體的差異SiC（碳化矽）與GaN（氮化鎵）同為超越矽的寬能隙半導體，但擅長的電壓範圍、頻段與用途各不相同。SiC的優勢在於高耐壓與高溫運作，是電動車主驅動逆變器的主流選…
- SiC MOSFET與IGBT的差異（電動車・電力電子比較）IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）自1990年代起廣泛用於工業用逆變器、鐵路與電動車驅動系統，是Si功率元件的主角。…
- MOCVD與MBE的差異（化合物半導體磊晶比較）MOCVD（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition：有機金屬化學氣相沉積）是GaN LED、功率HEMT、HBT、雷射二…
- SiC與矽（Si）的差異矽是半導體產業的標準材料，不只用於邏輯與記憶體，在功率半導體中也以IGBT與MOSFET的形式大量使用。近年隨著電動車普及而快速擴大採用的，是SiC（碳化矽）。…
依元件分類的其他分類
化合物半導體
化合物半導體製造設備是專門用於製造 GaAs・InP・GaN・SiC 等化合物半導體元件（功率半導體・RF／微波元件・光元件）的設備。
CMOS 影像感測器製造設備CMOS 影像感測器（CIS：CMOS Image Sensor）製造設備是以半導體製程製造將光轉換為電訊號之光二極體陣列的設備，應用範圍涵蓋智慧型手機、汽車、醫療、工業相機等。
MEMSMEMS（Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統）製造設備是專門用於在同一基板上製作微米尺度機械結構與電子電路之微機械元件的設備。
功率半導體功率半導體製造設備是製造 IGBT・MOSFET・SBD・GaN HEMT・SiC MOSFET 等功率元件的設備，決定電力轉換的效率、耐壓與耐熱性能。
SiC 功率半導體製造設備SiC 功率半導體製造設備是專門用於製造以碳化矽（SiC）為基板材料之功率元件（SiC-MOSFET・SiC-SBD 等）的設備。