MOCVD 設備是什麼
MOCVD 設備（有機金屬化學氣相沉積）是將三甲基鎵等有機金屬原料與氨等氫化物送至加熱的基板上，以熱分解反應磊晶成長化合物半導體晶體膜的設備。廣泛用於 GaN 系 LED、功率元件、高頻元件，以及 GaAs 系光元件的量產。可多片同時處理且成長速度快，比 MBE 更適合量產；決定膜厚與組成面內均勻性的承載盤（susceptor）旋轉機構與氣流控制是設備的關鍵。
重點整理
以有機金屬原料的熱分解磊晶成長化合物半導體
用於 GaN 系 LED、功率元件、GaAs 系光元件的量產
多片同時處理且成長速度快，量產性高於 MBE
承載盤旋轉機構與氣流控制決定膜厚與組成的均勻性
常見問題
MOCVD 與 MBE 如何區分使用？
MOCVD 成長速度快且可多片同時處理，適合 LED 與 GaN 功率元件等的量產。MBE 可在超高真空中以 1 個原子層為單位控制、介面陡峭，適合量子結構與高頻元件的研發和少量生產。
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薄膜沉積設備的其他分類
ALD 設備
ALD 設備（Atomic Layer Deposition：原子層沉積）是能以原子層為單位精密沉積薄膜的最先進薄膜沉積設備。
CVD 設備CVD 設備（Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積）是利用原料氣體的化學反應，在晶圓表面形成高品質薄膜的薄膜沉積設備。
電鍍設備（電解銅電鍍）電鍍設備（電解銅電鍍／ECD）是在電鍍液中通電，使銅析出於通孔與溝槽內部以形成導線的設備。
磊晶成長設備磊晶成長設備（Epitaxy）是在單晶矽基板上成長具有相同晶體方向的薄單晶層（磊晶層）的特殊薄膜沉積設備。
LPCVD（低壓 CVD）LPCVD 設備（減壓 CVD）是在數十～數百 Pa 的減壓環境下，以熱分解反應沉積薄膜的化學氣相沉積設備。
MBE 設備（分子束磊晶）MBE 設備（分子束磊晶）是在超高真空中加熱蒸發原料元素，使其以分子束形式到達基板，以 1 個原子層為單位進行晶體成長的薄膜沉積設備。
PECVD（電漿 CVD）PECVD 設備（電漿 CVD）是以電漿分解原料氣體，讓僅靠熱無法進行的成膜反應在低溫下進行的化學氣相沉積設備。
PVD 設備PVD 設備（Physical Vapor Deposition：物理氣相沉積）是在真空中將靶材蒸發或濺鍍，使其沉積在晶圓表面的薄膜沉積設備。
濺鍍設備濺鍍設備是在真空中使氬離子撞擊靶材，讓被撞出的原子沉積在晶圓表面的 PVD 設備。
真空蒸鍍設備真空蒸鍍設備是在高真空中加熱蒸發材料，使蒸氣在基板上凝結成膜的 PVD 設備。