高意（Coherent）的 SiC 基板，是以昇華法（PVT）成長的六方晶 SiC 單晶所製成的晶圓。直徑最大 200mm。
n 型摻雜氮，電阻率約 0.02Ω·cm，晶向為 4° 偏角。半絕緣型摻雜釩，電阻率超過 10⁹Ω·cm，晶向為正軸。兩者的表面粗糙度皆未滿 5Å。
室溫下熱導率達 370W/mK。n 型用於功率元件，半絕緣型用於 RF（射頻）元件。
SiC 基板的特點與規格
高意（Coherent）・SiC 晶圓
高意（Coherent）以昇華法（PVT）成長的六方晶 SiC 單晶製成的基板。有摻氮的 n 型與摻釩的半絕緣型。
產品概要
主要規格
| 直徑 | 最大 200 mm |
|---|---|
| n 型 | 摻氮・約 0.02 Ω·cm・4° 偏角 |
| 半絕緣型 | 摻釩・超過 10⁹ Ω·cm・正軸 |
| 主要用途 | 功率元件・RF 元件 |
規格依廠商公開資料整理，實際規格與選配請以廠商資料為準。
主要特點
直徑最大 200mm
n 型（摻氮）與半絕緣型（摻釩）
表面粗糙度未滿 5Å
熱導率 370W/mK
主要用途
- SiC 功率元件
- RF（射頻）元件
製造商
高意（Coherent）（總部：美國）