SiC 晶圓是什麼
SiC 晶圓是能隙約為矽 3 倍的碳化矽單晶基板。由於崩潰電場高，能以更薄的層實現相同耐壓，因此導通電阻下降，可在 EV 的逆變器與充電器中大幅降低損耗。晶體成長以昇華法（PVT 法）為主流，無法像矽一樣從熔液中拉晶，因此成長速度慢、基板成本高，一直是普及的限制。基底面差排（BPD）會造成雙極劣化，因此降低缺陷密度是品質的核心課題。
重點整理
能隙約為矽 3 倍的碳化矽單晶基板
憑藉高崩潰電場以薄層實現高耐壓，降低導通電阻
以昇華法（PVT 法）成長，速度慢、基板成本高
降低基底面差排（BPD）是品質上的核心課題
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