SiC 基板（n 型・半絶縁性）
昇華法（PVT）で育成した六方晶 SiC 単結晶から作る Coherent の基板。窒素ドープの n 型とバナジウムドープの半絶縁性がある。
SiC 基板とは
Coherent の SiC 基板は、昇華法（PVT）で育てた六方晶の SiC 単結晶から作るウェハです。直径は最大 200mm です。
n 型は窒素をドープし、抵抗率は約 0.02Ω·cm、結晶方位は 4° オフです。半絶縁性はバナジウムをドープし、抵抗率は 10⁹Ω·cm 超、結晶方位はオン軸です。どちらも表面粗さは 5Å 未満です。
熱伝導率は室温で 370W/mK あります。n 型はパワーデバイスに、半絶縁性は RF（高周波）デバイスに使われます。
主な特長
- •直径最大 200mm
- •n 型（窒素ドープ）と半絶縁性（バナジウムドープ）
- •表面粗さ 5Å 未満
- •熱伝導率 370W/mK
主な仕様
| 口径 | 最大 200 mm |
|---|---|
| n 型 | 窒素ドープ・約 0.02 Ω·cm・4° オフ |
| 半絶縁性 | バナジウムドープ・10⁹ Ω·cm 超・オン軸 |
| 主要用途 | パワーデバイス・RF デバイス |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の製品が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Wolfspeed200mm SiC 単結晶基板 | コヒレント（Coherent Corp.）SiC 基板（n 型・半絶縁性） | レゾナック（旧昭和電工）SiC エピタキシャルウェハ |
|---|---|---|---|
| 口径 | 200 mm（8 インチ） | 最大 200 mm | 150 mm 中心（200 mm 対応を推進） |
| 主要用途 | パワーデバイス | パワーデバイス・RF デバイス | 車載 SiC MOSFET・SBD |
1製品だけが掲載している項目（7件）
| 厚さ | 350 µm | — | — |
|---|---|---|---|
| 品種 | n 型導電性（Premium 品あり）・エピウェハ | — | — |
| n 型 | — | 窒素ドープ・約 0.02 Ω·cm・4° オフ | — |
| 半絶縁性 | — | バナジウムドープ・10⁹ Ω·cm 超・オン軸 | — |
| 材料 | — | — | 4H-SiC エピタキシャル層 |
| エピ層厚みの目安 | — | — | 5 ～ 30 µm（耐圧に応じる） |
| 管理指標 | — | — | キラー欠陥密度・厚み／濃度均一性 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •SiC パワーデバイス
- •RF（高周波）デバイス
掲載カテゴリ
SiC 基板は次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
コヒレント（Coherent Corp.）
化合物半導体基板（SiC・GaAs）・レーザー光学部品を手掛けるグローバル大手メーカー。2022年にII-VIがCoherentを買収し社名変更、光通信・EUVリソグラフィ関連の光学技術にも強みを持つ。
SiCウェハのほかの製品
コヒレント（Coherent Corp.）のほかの製品
関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-06