Wolfspeed 的 200mm SiC 單晶基板,是直徑 200mm(8 吋)的碳化矽(SiC)晶圓。於 2025 年 9 月宣布商用化。
基板厚度為 350µm,備有 SiC 基板與磊晶晶圓。另有將微管密度壓低的 n 型 Premium 品。
SiC 比矽更能承受高電壓與高溫,因此用於電動車與工業設備的功率半導體。加大直徑可增加從 1 片晶圓能取得的晶片數量。
Wolfspeed 於 2025 年 9 月商用化的 200mm 直徑 SiC 基板。備有厚度 350 µm 的基板與磊晶晶圓。
Wolfspeed 的 200mm SiC 單晶基板,是直徑 200mm(8 吋)的碳化矽(SiC)晶圓。於 2025 年 9 月宣布商用化。
基板厚度為 350µm,備有 SiC 基板與磊晶晶圓。另有將微管密度壓低的 n 型 Premium 品。
SiC 比矽更能承受高電壓與高溫,因此用於電動車與工業設備的功率半導體。加大直徑可增加從 1 片晶圓能取得的晶片數量。
| 直徑 | 200 mm(8 吋) |
|---|---|
| 厚度 | 350 µm |
| 品項 | n 型導電性(有 Premium 品)・磊晶晶圓 |
| 主要用途 | 功率元件 |
規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。
Wolfspeed(總部:美國)