最後更新:2026年10月23日SiC 晶圓

200mm SiC 單晶基板的特點與規格

Wolfspeed・SiC 晶圓

Wolfspeed 於 2025 年 9 月商用化的 200mm 直徑 SiC 基板。備有厚度 350 µm 的基板與磊晶晶圓。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

Wolfspeed 的 200mm SiC 單晶基板,是直徑 200mm(8 吋)的碳化矽(SiC)晶圓。於 2025 年 9 月宣布商用化。

基板厚度為 350µm,備有 SiC 基板與磊晶晶圓。另有將微管密度壓低的 n 型 Premium 品。

SiC 比矽更能承受高電壓與高溫,因此用於電動車與工業設備的功率半導體。加大直徑可增加從 1 片晶圓能取得的晶片數量。

主要規格

直徑200 mm(8 吋)
厚度350 µm
品項n 型導電性(有 Premium 品)・磊晶晶圓
主要用途功率元件

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

直徑 200mm 的 SiC 基板
厚度 350µm
同時供應基板與磊晶晶圓

主要用途

  • SiC 功率 MOSFET・二極體
  • 電動車・工業設備

製造商

Wolfspeed(總部:美國)

所屬設備分類

相關用語

同分類的其他機型

資料來源

  1. Wolfspeed 官方新聞稿:Wolfspeed 200mm SiC