LTA-2200EP/F 是 Kobelco Research Institute 的載子壽命量測設備，採用 μ-PCD（微波光導衰減）法。
以微波反射偵測以雷射注入晶圓的載子（電子與電洞）隨時間減少的情形。透過差分 μ-PCD 法，也能量測成長在低電阻基板上的磊晶層。
以 Si・SiC・GaN 晶圓與 LTPS・IGZO 薄膜為對象，以標準 0.5mm 的間距高速製作分布圖。用於晶體完整性與重金屬汙染的評估。
LTA-2200EP/F的特點與規格
Kobelco Research Institute・載子生命期量測設備
以微波反射偵測雷射注入載子隨時間變化的 μ-PCD 法載子壽命量測設備。
產品概要
主要規格
| 量測方式 | μ-PCD（以差分 μ-PCD 亦可量測低電阻基板上的磊晶） |
|---|---|
| 量測對象 | Si・SiC・GaN・LTPS・IGZO 的晶圓 |
| 特點 | 標準量測間距 0.5 mm 的高速分布圖 |
| 主要用途 | 晶體完整性・重金屬汙染的評估 |
規格依廠商公開資料整理，實際規格與選配請以廠商資料為準。
主要特點
μ-PCD 法（支援差分 μ-PCD）
支援 Si・SiC・GaN・LTPS・IGZO
標準間距 0.5mm 的高速分布圖量測
主要用途
- 晶體完整性的評估
- 重金屬汙染的評估
製造商
Kobelco Research Institute（總部：日本）