LTA-2200EP/Fとは
LTA-2200EP/F は、コベルコ科研のキャリアライフタイム測定装置です。μ-PCD（マイクロ波光導電減衰）法を使います。
レーザーでウェーハに注入したキャリア（電子と正孔）が時間とともに減っていく様子を、マイクロ波の反射で検出します。差分 μ-PCD 法により、低抵抗の基板の上に成長したエピ層も測れます。
Si・SiC・GaN のウェーハや LTPS・IGZO の薄膜を対象にし、標準 0.5mm のピッチで高速にマップを作ります。結晶の完全性や重金属汚染の評価に使われます。
主な特長
- •μ-PCD 法（差分 μ-PCD 対応）
- •Si・SiC・GaN・LTPS・IGZO に対応
- •標準ピッチ 0.5mm の高速マッピング
主な仕様
| 測定方式 | μ-PCD（差分 μ-PCD で低抵抗基板上のエピにも対応） |
|---|---|
| 測定対象 | Si・SiC・GaN・LTPS・IGZO のウェーハ |
| 特徴 | 標準測定ピッチ 0.5 mm で高速マップ |
| 主要用途 | 結晶完全性・重金属汚染の評価 |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | コベルコ科研LTA-2200EP/F | ナプソンシリコンインゴット ライフタイム測定器（非接触・光伝導減衰法） |
|---|---|---|
| 測定方式 | μ-PCD（差分 μ-PCD で低抵抗基板上のエピにも対応） | 光伝導減衰法（非接触） |
| 測定対象 | Si・SiC・GaN・LTPS・IGZO のウェーハ | シリコンインゴット |
| 特徴 | 標準測定ピッチ 0.5 mm で高速マップ | ストロボ光源・JIS 法（DC 法）機も用意 |
| 主要用途 | 結晶完全性・重金属汚染の評価 | 金属汚染・結晶欠陥の評価 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •結晶完全性の評価
- •重金属汚染の評価
掲載カテゴリ
LTA-2200EP/Fは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
コベルコ科研
神戸製鋼グループの分析・評価受託会社。半導体材料や薄膜の材料分析、故障解析、シミュレーション受託を行うほか、スパッタリングターゲット材の開発・供給も手掛ける。
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関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-07