200mm SiC 単結晶基板とは
Wolfspeed の 200mm SiC 単結晶基板は、直径 200mm（8 インチ）の炭化ケイ素（SiC）ウェハです。2025年9月に商用化を発表しました。
基板の厚さは 350µm で、SiC 基板とエピタキシャルウェハをそろえています。マイクロパイプ密度を低く抑えた n 型の Premium 品もあります。
SiC はシリコンより高い電圧と温度に耐えるため、電気自動車や産業機器のパワー半導体に使われます。口径を大きくすると、1 枚のウェハから取れるチップの数が増えます。
主な特長
- •直径 200mm の SiC 基板
- •厚さ 350µm
- •基板とエピウェハの両方を供給
主な仕様
| 口径 | 200 mm（8 インチ） |
|---|---|
| 厚さ | 350 µm |
| 品種 | n 型導電性（Premium 品あり）・エピウェハ |
| 主要用途 | パワーデバイス |
※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
スペック比較
複数の製品が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Wolfspeed200mm SiC 単結晶基板 | コヒレント（Coherent Corp.）SiC 基板（n 型・半絶縁性） | レゾナック（旧昭和電工）SiC エピタキシャルウェハ |
|---|---|---|---|
| 口径 | 200 mm（8 インチ） | 最大 200 mm | 150 mm 中心（200 mm 対応を推進） |
| 主要用途 | パワーデバイス | パワーデバイス・RF デバイス | 車載 SiC MOSFET・SBD |
1製品だけが掲載している項目（7件）
| 厚さ | 350 µm | — | — |
|---|---|---|---|
| 品種 | n 型導電性（Premium 品あり）・エピウェハ | — | — |
| n 型 | — | 窒素ドープ・約 0.02 Ω·cm・4° オフ | — |
| 半絶縁性 | — | バナジウムドープ・10⁹ Ω·cm 超・オン軸 | — |
| 材料 | — | — | 4H-SiC エピタキシャル層 |
| エピ層厚みの目安 | — | — | 5 ～ 30 µm（耐圧に応じる） |
| 管理指標 | — | — | キラー欠陥密度・厚み／濃度均一性 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
主な用途
- •SiC パワー MOSFET・ダイオード
- •電気自動車・産業機器
掲載カテゴリ
200mm SiC 単結晶基板は次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。
メーカー
Wolfspeed
SiC（炭化ケイ素）パワーデバイスの世界最大手メーカー。EV・太陽光・産業用インバーター向けSiC MOSFETとSiCウェハを一貫製造。旧Cree社のパワー・RF半導体事業が独立し、200mmウェハへの移行を先行している。
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関連用語
出典・確認した公開情報
最終確認日：2026-10-06