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Mattson Technology

急速熱処理(RTP)・ドライストリップ(プラズマアッシャー)の専業装置メーカー。先端ロジック・メモリのゲート形成・レジスト除去工程を支える。

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当サイトでの位置づけ

Semiraiの熱処理・ドライストリップカテゴリでは、RTP(急速熱処理)とプラズマアッシャーを組み合わせた前工程サポート装置として参照されます。

企業の強み

急速熱処理(RTP)装置での業界実績
プラズマアッシャー(ドライストリップ)技術
中国・アジア市場向けの迅速サポート体制

主要製品・ソリューション

熱処理装置

  • RTPシステム
  • バッチ熱処理装置

ドライストリップ装置

  • プラズマアッシャー

関連装置カテゴリ

熱処理装置
ドライエッチング装置

📊 半導体製造装置メーカーの世界シェア&カオスマップ

ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、Mattson Technologyを含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。

関連用語

熱処理とは →フラッシュランプアニール(FLA)とは →スパイクアニールとは →

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イオン注入・熱処理 のトピックで関連する用語です。

イオン注入とは →イオン注入とは →アニール(熱処理)とは →急速熱処理(RTP)とは →拡散炉とは →熱処理(半導体製造)とは →熱バジェットとは →ドーパント活性化とは →

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Applied Materials米国Axcelis Technologies米国住友重機械イオンテクノロジー日本日新イオン機器日本PSK Holdings韓国Kokusai Electric(国際電気)日本

比較・違いを学ぶ

レーザーアニールとRTP(急速熱処理)の違い
RTP(Rapid Thermal Processing)はハロゲンランプで基板全体を数秒〜数十秒で1000°C以上に急速加熱するのに対し、レーザーアニール(L
イオン注入と熱拡散の違い(不純物導入プロセスの比較)
イオン注入(Ion Implantation)は不純物(ドーパント)をイオン化・加速して基板に物理的に打ち込む方法で、ドーズ量と加速エネルギーにより濃度と接合深
スパイクアニールとフラッシュランプアニールの違い
イオン注入したドーパントを活性化するには高温が要りますが、高温に留まればドーパントが拡散して接合が深く広がってしまいます。この矛盾をどう解くかが活性化アニールの
ビームライン式イオン注入とプラズマドーピングの違い
どちらもウェハにドーパントを打ち込む手法ですが、イオンの届け方が根本的に違います。ビームライン式は「選別したイオンを一本のビームにして走査する」、PLADは「プ
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