CONFERENCE
ICSCRM（炭化ケイ素および関連材料国際会議）
SiC（炭化ケイ素）を中心に、ワイドバンドギャップ半導体の結晶・ウェハ・デバイスを扱う国際会議。
01開催概要
- 正式名称
- International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
- 主催
- 各回の組織委員会
- 次回の会期
- 未発表（例年9月頃）
- 開催地
- 各国持ち回り（2026年は横浜）
- 例年の開催
- 9月頃・各国持ち回り（2026年は横浜）
- 分野
- パワー半導体
- 格付け
- 主要国際会議SiCの結晶・ウェハからデバイスまでを扱う主要な国際会議。パワーデバイス分野の最高峰はISPSDのため主要国際会議としています。格付けの決め方
- 公式サイト
- icscrm2026.org（2026/10/24 確認）
02ICSCRMはどんな学会か
ICSCRMは、SiC（炭化ケイ素）とその関連材料を扱う国際会議です。2026年は9月末から横浜で開かれました。
SiCの単結晶の成長、ウェハの大口径化と欠陥の低減、エピタキシャル成長、MOSFETの酸化膜界面や信頼性、パッケージまで、材料からデバイスまでの発表が集まります。電気自動車向けのSiCパワー半導体の量産が広がるなかで、材料メーカーとデバイスメーカーの発表が増えています。
03注目の技術
ICSCRMでよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。
- SiC（炭化シリコン）
SiC（炭化ケイ素、Silicon Carbide）は、シリコン（Si）と炭素（C）で構成されるIV-IV族化合物半導体で、ワイドバンドギャップ（4H-SiCで3.26eV）・高い絶縁破壊電界（約3MV/cm）・高い熱伝導率（約5W/cm·K）・高い電子飽和速度を持つ優れたパワー半導体材料です。
- SiC MOSFET（炭化ケイ素パワートランジスタ）
SiC MOSFET（Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）は、シリコン（Si）の代わりに炭化ケイ素（SiC）を半導体材料として用いたパワーMOSFETです。
- SiCウェハ（炭化ケイ素基板）
SiCウェハとは、SiCパワーデバイスを製造するための単結晶炭化ケイ素の基板です。
04同じ分野の学会
学会一覧へ →- パワー半導体国際シンポジウム（ISPSD）例年5月頃
- 応用パワーエレクトロニクス会議（APEC）2027年3月7日〜・ニューオーリンズ（米国）
- 化合物半導体製造技術国際会議（CS MANTECH）2027年5月17日〜・サンデスティン（米国フロリダ州）
- 化合物半導体ウィーク（CSW）2027年6月15日〜・ヴェネツィア（イタリア）
- 窒化物半導体国際会議（ICNS）例年7月頃
- 窒化物半導体国際ワークショップ（IWN）2026年11月8日〜・熊本
- IEEEエネルギー変換会議（ECCE）例年10月頃
- PCIMヨーロッパ（PCIM Europe）2027年5月11日〜・ニュルンベルク（ドイツ）
- 電気学会 全国大会（電気学会全国大会）2027年3月8日〜・金沢
- PCIMインド（PCIM India）例年12月頃
- マイクロ電源システム・自立型センサ国際会議（PowerMEMS+）2026年12月6日〜・紹興（中国）
- ワイドバンドギャップパワーデバイスと応用ワークショップ（WiPDA）2026年10月26日〜・バーリントン（米国）
- WiPDA ヨーロッパ（WiPDA-Europe）例年9月頃
※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。