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CONFERENCE

CSW 2027(化合物半導体ウィーク)

ISCS・IPRM の運営委員会が主催する、化合物半導体の材料・デバイスを扱う国際会議。

01開催概要


正式名称
Compound Semiconductor Week
主催
ISCS・IPRM の運営委員会
次回の会期
2027年6月15日〜6月18日(金)(開幕まであと230日)
開催地
ヴェネツィア(イタリア)・Venice Lido
例年の開催
6月頃・欧州・米国・アジアの持ち回り
分野
デバイス・プロセス/パワー半導体
格付け
主要国際会議ISCS・IPRM の運営委員会が主催し、化合物半導体の材料・デバイスの分野で継続して開かれている国際会議のため、主要国際会議としています。格付けの決め方
公式サイト
www.csw2027.com(2026/10/24 確認)
会期をカレンダーに追加(.ics)

02投稿の日程


募集要項で発表されている締切と通知日です。

日付内容状況
2027年1月11日アブストラクト締切あと75日
2027年3月29日Late News締切あと152日

03CSWはどんな学会か


CSWは、ISCS・IPRM の運営委員会が主催する、化合物半導体の材料・デバイスを扱う国際会議です。2027年は6月15日から6月18日まで、ヴェネツィア(イタリア)で開かれます。会場はVenice Lidoです。

GaAs・InP・GaN・SiCなどの化合物半導体の結晶成長、高周波・光・パワーデバイスの発表が集まります。ISCS(化合物半導体国際シンポジウム)とIPRM(InPと関連材料の国際会議)を合わせた会議です。

04注目の技術


CSWでよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。

  • 化合物半導体

    化合物半導体とは、周期表の2種類以上の元素を組み合わせて作られた半導体材料の総称です。

  • GaAs(ヒ化ガリウム)

    GaAs(ガリウムヒ素、ヒ化ガリウム)とは、ガリウム(Ga)とヒ素(As)からなる13-15族(III-V族)化合物半導体です。

  • InP(リン化インジウム)

    InP(インジウムリン、リン化インジウム)とは、インジウム(In)とリン(P)からなるIII-V族化合物半導体です。

  • MOCVD

    MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition/有機金属化学気相成長)は、有機金属化合物(トリメチルガリウムTMGa、トリメチルアルミニウムTMAl、ジメチルヒドラジンなど)と水素化物(NH₃、AsH₃、PH₃など)を原料ガスとして使用し、基板(ウェハ)上にIII-V族化合物半導体(GaN・GaAs・InP・AlGaInPなど)の高品質なエピタキシャル薄膜を成長させるCVD技術の一種です。

  • GaN(窒化ガリウム)

    GaN(窒化ガリウム、Gallium Nitride)は、ガリウム(Ga)と窒素(N)で構成されるIII-V族化合物半導体です。

05同じ分野の学会

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※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。