CONFERENCE
ISPSD（パワー半導体国際シンポジウム）
SiC・GaN・IGBTなどパワー半導体のデバイスと集積回路を扱う、パワーデバイス分野の最高峰の国際会議。
01開催概要
- 正式名称
- IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
- 主催
- IEEE Electron Devices Society
- 次回の会期
- 未発表（例年5月頃）
- 開催地
- 台北（台湾）・台北国際会議センター
- 例年の開催
- 5月頃・各国持ち回り
- 分野
- パワー半導体
- 格付け
- 分野の最高峰SiC・GaN・IGBTなどパワーデバイスの最先端の成果が最初に発表される、パワー半導体分野の中心の会議であるため。格付けの決め方
- 公式サイト
- ispsd2027.com（2026/10/24 確認）
02投稿の日程
募集要項で発表されている締切と通知日です。
| 日付 | 内容 | 状況 |
|---|---|---|
| 2026年12月16日 | 論文締切 | あと49日 |
| 2027年1月29日 | 採否通知 | あと93日 |
| 2027年2月19日 | 最終原稿締切 | あと114日 |
03ISPSDはどんな学会か
ISPSDは、電力を変換・制御するパワー半導体のデバイスと集積回路を扱う国際会議です。毎年5〜6月に日本・米国・欧州・アジアの持ち回りで開かれ、2027年は台北で開かれます。
シリコンのIGBTやMOSFETに加えて、SiCやGaNなどのワイドバンドギャップ半導体の発表が中心になっています。電気自動車や再生可能エネルギー、データセンターの電源で使われるデバイスの性能と信頼性が議論されます。
04注目の技術
ISPSDでよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。
- SiC MOSFET（炭化ケイ素パワートランジスタ）
SiC MOSFET（Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）は、シリコン（Si）の代わりに炭化ケイ素（SiC）を半導体材料として用いたパワーMOSFETです。
- GaN（窒化ガリウム）
GaN（窒化ガリウム、Gallium Nitride）は、ガリウム（Ga）と窒素（N）で構成されるIII-V族化合物半導体です。
- IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）は、MOSFETの電圧駆動（高入力インピーダンス・高速スイッチング）とバイポーラトランジスタの大電流・低飽和電圧特性を組み合わせたパワー半導体デバイスです。
05同じ分野の学会
学会一覧へ →- 応用パワーエレクトロニクス会議（APEC）2027年3月7日〜・ニューオーリンズ（米国）
- 化合物半導体製造技術国際会議（CS MANTECH）2027年5月17日〜・サンデスティン（米国フロリダ州）
- 炭化ケイ素および関連材料国際会議（ICSCRM）例年9月頃
- 化合物半導体ウィーク（CSW）2027年6月15日〜・ヴェネツィア（イタリア）
- 窒化物半導体国際会議（ICNS）例年7月頃
- 窒化物半導体国際ワークショップ（IWN）2026年11月8日〜・熊本
- IEEEエネルギー変換会議（ECCE）例年10月頃
- PCIMヨーロッパ（PCIM Europe）2027年5月11日〜・ニュルンベルク（ドイツ）
- 電気学会 全国大会（電気学会全国大会）2027年3月8日〜・金沢
- PCIMインド（PCIM India）例年12月頃
- マイクロ電源システム・自立型センサ国際会議（PowerMEMS+）2026年12月6日〜・紹興（中国）
- ワイドバンドギャップパワーデバイスと応用ワークショップ（WiPDA）2026年10月26日〜・バーリントン（米国）
- WiPDA ヨーロッパ（WiPDA-Europe）例年9月頃
※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。