パワー半導体の学会・国際会議

SiC（炭化ケイ素、Silicon Carbide）は、シリコン（Si）と炭素（C）で構成されるIV-IV族化合物半導体で、ワイドバンドギャップ（4H-SiCで3.26eV）・高い絶縁破壊電界（約3MV/cm）・高い熱伝導率（約5W/cm·K）・高い電子飽和速度を持つ優れたパワー半導体材料です。

GaN（窒化ガリウム、Gallium Nitride）は、ガリウム（Ga）と窒素（N）で構成されるIII-V族化合物半導体です。

ワイドバンドギャップ半導体（WBG）とは、シリコン（Si、約1.1eV）よりも大きなバンドギャップを持つ半導体材料の総称です。

SiC MOSFET（Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）は、シリコン（Si）の代わりに炭化ケイ素（SiC）を半導体材料として用いたパワーMOSFETです。

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）は、MOSFETの電圧駆動（高入力インピーダンス・高速スイッチング）とバイポーラトランジスタの大電流・低飽和電圧特性を組み合わせたパワー半導体デバイスです。

パワーモジュールとは、IGBTやパワーMOSFET、SiC/GaNパワートランジスタといったパワー半導体素子と、それらを駆動・保護する回路を1つのパッケージに集積した電力変換用の部品です。

HEMT（高電子移動度トランジスタ、High Electron Mobility Transistor）とは、異なるバンドギャップを持つ化合物半導体のヘテロ接合界面に生じる2次元電子ガス（2DEG）を利用した高速FETです。

MOCVD（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition／有機金属化学気相成長）は、有機金属化合物（トリメチルガリウムTMGa、トリメチルアルミニウムTMAl、ジメチルヒドラジンなど）と水素化物（NH₃、AsH₃、PH₃など）を原料ガスとして使用し、基板（ウェハ）上にIII-V族化合物半導体（GaN・GaAs・InP・AlGaInPなど）の高品質なエピタキシャル薄膜を成長させるCVD技術の一種です。

MEMS（Micro Electro Mechanical Systems／微小電気機械システム）は、半導体微細加工技術を応用して、機械的な構造体（センサー・アクチュエータ・マイクロ流路など）と電気回路を同一基板上に集積化したデバイス・技術の総称です。

慣性センサーとは、物体の動きそのものを測るセンサーの総称で、直線的な加速度を測る加速度センサーと、回転の速さを測るジャイロセンサー（角速度センサー）を指します。

圧電効果とは、ある種の結晶に力を加えると電圧が現れ、逆に電圧をかけると変形する性質のことです。

EVインバーター（主駆動インバーター）とは、電気自動車のバッテリーが供給する直流を三相交流に変換し、駆動モーターの回転数とトルクを制御する装置です。

化合物半導体とは、周期表の2種類以上の元素を組み合わせて作られた半導体材料の総称です。

GaAs（ガリウムヒ素、ヒ化ガリウム）とは、ガリウム（Ga）とヒ素（As）からなる13-15族（III-V族）化合物半導体です。

InP（インジウムリン、リン化インジウム）とは、インジウム（In）とリン（P）からなるIII-V族化合物半導体です。

SiCウェハとは、SiCパワーデバイスを製造するための単結晶炭化ケイ素の基板です。