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CONFERENCE

ICNS(窒化物半導体国際会議)

ICNS 国際諮問委員会が主催する、窒化物半導体(GaN・AlN・InN)を扱う国際会議。

01開催概要


正式名称
International Conference on Nitride Semiconductors
主催
ICNS 国際諮問委員会
次回の会期
未発表(例年7月頃)
開催地
各国持ち回り
例年の開催
7月頃・各国持ち回り
分野
デバイス・プロセス/パワー半導体
格付け
主要国際会議ICNS 国際諮問委員会が主催し、窒化物半導体(GaN・AlN・InN)の分野で継続して開かれている国際会議のため、主要国際会議としています。格付けの決め方
公式サイト
mkon.nu(2026/10/24 確認)

02ICNSはどんな学会か


ICNSは、ICNS 国際諮問委員会が主催する、窒化物半導体(GaN・AlN・InN)を扱う国際会議です。IWNと1年おきに開催。第15回は2025年7月 マルメ(スウェーデン)。例年7月ごろに開かれます。

窒化物半導体の結晶成長、LED・レーザー、高周波・パワーデバイスの研究が発表されます。IWNと1年おきに開かれる、窒化物半導体の中心的な会議です。

03注目の技術


ICNSでよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。

  • GaN(窒化ガリウム)

    GaN(窒化ガリウム、Gallium Nitride)は、ガリウム(Ga)と窒素(N)で構成されるIII-V族化合物半導体です。

  • HEMT(高電子移動度トランジスタ)

    HEMT(高電子移動度トランジスタ、High Electron Mobility Transistor)とは、異なるバンドギャップを持つ化合物半導体のヘテロ接合界面に生じる2次元電子ガス(2DEG)を利用した高速FETです。

  • MOCVD

    MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition/有機金属化学気相成長)は、有機金属化合物(トリメチルガリウムTMGa、トリメチルアルミニウムTMAl、ジメチルヒドラジンなど)と水素化物(NH₃、AsH₃、PH₃など)を原料ガスとして使用し、基板(ウェハ)上にIII-V族化合物半導体(GaN・GaAs・InP・AlGaInPなど)の高品質なエピタキシャル薄膜を成長させるCVD技術の一種です。

  • ワイドバンドギャップ半導体

    ワイドバンドギャップ半導体(WBG)とは、シリコン(Si、約1.1eV)よりも大きなバンドギャップを持つ半導体材料の総称です。

04同じ分野の学会

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※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。