WiPDA 2026（ワイドバンドギャップパワーデバイスと応用ワークショップ）

正式名称

IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications

主催

IEEE PELS・PSMA ほか

次回の会期

2026年10月26日〜10月28日（水）（開幕まであと0日）

開催地

バーリントン（米国）

例年の開催

10月頃・米国

分野

パワー半導体

格付け

専門の国際会議ワイドバンドギャップのパワーデバイスという特定のテーマに絞って開かれている国際会議のため、専門の国際会議としています。格付けの決め方

公式サイト

wipda.org（2026/10/24 確認）

• ワイドバンドギャップ半導体

  ワイドバンドギャップ半導体（WBG）とは、シリコン（Si、約1.1eV）よりも大きなバンドギャップを持つ半導体材料の総称です。

• SiC MOSFET（炭化ケイ素パワートランジスタ）

  SiC MOSFET（Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）は、シリコン（Si）の代わりに炭化ケイ素（SiC）を半導体材料として用いたパワーMOSFETです。

• GaN（窒化ガリウム）

  GaN（窒化ガリウム、Gallium Nitride）は、ガリウム（Ga）と窒素（N）で構成されるIII-V族化合物半導体です。

• IGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）

  IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）は、MOSFETの電圧駆動（高入力インピーダンス・高速スイッチング）とバイポーラトランジスタの大電流・低飽和電圧特性を組み合わせたパワー半導体デバイスです。

• パワーモジュール

  パワーモジュールとは、IGBTやパワーMOSFET、SiC/GaNパワートランジスタといったパワー半導体素子と、それらを駆動・保護する回路を1つのパッケージに集積した電力変換用の部品です。

• パワー半導体国際シンポジウム（ISPSD）例年5月頃
• 応用パワーエレクトロニクス会議（APEC）2027年3月7日〜・ニューオーリンズ（米国）
• 化合物半導体製造技術国際会議（CS MANTECH）2027年5月17日〜・サンデスティン（米国フロリダ州）
• 炭化ケイ素および関連材料国際会議（ICSCRM）例年9月頃
• 化合物半導体ウィーク（CSW）2027年6月15日〜・ヴェネツィア（イタリア）
• 窒化物半導体国際会議（ICNS）例年7月頃
• 窒化物半導体国際ワークショップ（IWN）2026年11月8日〜・熊本
• IEEEエネルギー変換会議（ECCE）例年10月頃
• PCIMヨーロッパ（PCIM Europe）2027年5月11日〜・ニュルンベルク（ドイツ）
• 電気学会 全国大会（電気学会全国大会）2027年3月8日〜・金沢
• PCIMインド（PCIM India）例年12月頃
• マイクロ電源システム・自立型センサ国際会議（PowerMEMS+）2026年12月6日〜・紹興（中国）
• WiPDA ヨーロッパ（WiPDA-Europe）例年9月頃

※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。