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CONFERENCE

CS MANTECH 2027(化合物半導体製造技術国際会議)

GaN・GaAs・SiC・InPなど化合物半導体の量産の製造技術を扱う、米国で毎年開かれる国際会議。

01開催概要


正式名称
International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology
主催
CS MANTECH
次回の会期
2027年5月17日〜5月20日(木)(開幕まであと201日)
開催地
サンデスティン(米国フロリダ州)
例年の開催
5月頃・米国
分野
リソグラフィ・配線・量産/パワー半導体
格付け
主要国際会議化合物半導体の量産技術を扱う主要な国際会議。パワーデバイスそのものの最高峰はISPSDのため主要国際会議としています。格付けの決め方
公式サイト
csmantech.org(2026/10/24 確認)
会期をカレンダーに追加(.ics)

02CS MANTECHはどんな学会か


CS MANTECHは、化合物半導体の製造技術を扱う国際会議です。毎年5月前後に米国で開かれます。

GaNやSiCのパワーデバイス、GaAsやInPの高周波・光デバイスを量産するための、結晶成長、プロセス、ウェハの大口径化、歩留まりや信頼性の改善が発表されます。シリコンとは違う材料ならではの製造の課題が集まる場です。

03注目の技術


CS MANTECHでよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。

  • 化合物半導体

    化合物半導体とは、周期表の2種類以上の元素を組み合わせて作られた半導体材料の総称です。

  • GaN(窒化ガリウム)

    GaN(窒化ガリウム、Gallium Nitride)は、ガリウム(Ga)と窒素(N)で構成されるIII-V族化合物半導体です。

  • GaAs(ヒ化ガリウム)

    GaAs(ガリウムヒ素、ヒ化ガリウム)とは、ガリウム(Ga)とヒ素(As)からなる13-15族(III-V族)化合物半導体です。

  • InP(リン化インジウム)

    InP(インジウムリン、リン化インジウム)とは、インジウム(In)とリン(P)からなるIII-V族化合物半導体です。

  • HEMT(高電子移動度トランジスタ)

    HEMT(高電子移動度トランジスタ、High Electron Mobility Transistor)とは、異なるバンドギャップを持つ化合物半導体のヘテロ接合界面に生じる2次元電子ガス(2DEG)を利用した高速FETです。

04同じ分野の学会

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※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。