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CONFERENCE

IWN 2026(窒化物半導体国際ワークショップ)

IWN 実行委員会が主催する、窒化物半導体(GaN・AlN・InN)を扱う国際会議。

01開催概要


正式名称
International Workshop on Nitride Semiconductors
主催
IWN 実行委員会
次回の会期
2026年11月8日〜11月13日(金)(開幕まであと11日)
開催地
熊本・熊本城ホール
例年の開催
11月頃・各国持ち回り
分野
デバイス・プロセス/パワー半導体
格付け
主要国際会議IWN 実行委員会が主催し、窒化物半導体(GaN・AlN・InN)の分野で継続して開かれている国際会議のため、主要国際会議としています。格付けの決め方
公式サイト
iwn2026.jp(2026/10/24 確認)
会期をカレンダーに追加(.ics)

02IWNはどんな学会か


IWNは、IWN 実行委員会が主催する、窒化物半導体(GaN・AlN・InN)を扱う国際会議です。2026年は11月8日から11月13日まで、熊本で開かれます。会場は熊本城ホールです。

窒化物半導体の結晶成長・物性・LED・レーザー・電子デバイスの研究が発表されます。ICNSと1年おきに開かれます。

03注目の技術


IWNでよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。

  • GaN(窒化ガリウム)

    GaN(窒化ガリウム、Gallium Nitride)は、ガリウム(Ga)と窒素(N)で構成されるIII-V族化合物半導体です。

  • HEMT(高電子移動度トランジスタ)

    HEMT(高電子移動度トランジスタ、High Electron Mobility Transistor)とは、異なるバンドギャップを持つ化合物半導体のヘテロ接合界面に生じる2次元電子ガス(2DEG)を利用した高速FETです。

  • MOCVD

    MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition/有機金属化学気相成長)は、有機金属化合物(トリメチルガリウムTMGa、トリメチルアルミニウムTMAl、ジメチルヒドラジンなど)と水素化物(NH₃、AsH₃、PH₃など)を原料ガスとして使用し、基板(ウェハ)上にIII-V族化合物半導体(GaN・GaAs・InP・AlGaInPなど)の高品質なエピタキシャル薄膜を成長させるCVD技術の一種です。

  • ワイドバンドギャップ半導体

    ワイドバンドギャップ半導体(WBG)とは、シリコン(Si、約1.1eV)よりも大きなバンドギャップを持つ半導体材料の総称です。

04同じ分野の学会

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※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。