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CONFERENCE

電気学会全国大会 2027(電気学会 全国大会)

電気学会が主催する、電気工学全般を扱う会議。

01開催概要


正式名称
電気学会全国大会 / IEEJ Annual Meeting
主催
電気学会
次回の会期
2027年3月8日〜3月10日(水)(開幕まであと131日)
開催地
金沢・金沢大学 角間キャンパス
例年の開催
3月頃・日本
分野
回路・設計(EDA)/パワー半導体
格付け
国内の学会日本の電気学会が主催する会議のため、国内の学会としています。格付けの決め方
公式サイト
www.iee.jp(2026/10/24 確認)
会期をカレンダーに追加(.ics)

02投稿の日程


募集要項で発表されている締切と通知日です。

日付内容状況
2027年1月7日講演申込・原稿締切あと71日

03電気学会全国大会はどんな学会か


電気学会全国大会は、電気学会が主催する、電気工学全般を扱う会議です。2027年は3月8日から3月10日まで、金沢で開かれます。会場は金沢大学 角間キャンパスです。

電力・パワーエレクトロニクス・電子デバイス・センサなど電気工学の全分野の発表が集まる、電気学会の最大の大会です。

04注目の技術


電気学会全国大会でよく発表される技術です。用語集で仕組みを確認できます。

  • パワーモジュール

    パワーモジュールとは、IGBTやパワーMOSFET、SiC/GaNパワートランジスタといったパワー半導体素子と、それらを駆動・保護する回路を1つのパッケージに集積した電力変換用の部品です。

  • EVインバーター(主駆動インバーター)

    EVインバーター(主駆動インバーター)とは、電気自動車のバッテリーが供給する直流を三相交流に変換し、駆動モーターの回転数とトルクを制御する装置です。

  • IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)は、MOSFETの電圧駆動(高入力インピーダンス・高速スイッチング)とバイポーラトランジスタの大電流・低飽和電圧特性を組み合わせたパワー半導体デバイスです。

  • ワイドバンドギャップ半導体

    ワイドバンドギャップ半導体(WBG)とは、シリコン(Si、約1.1eV)よりも大きなバンドギャップを持つ半導体材料の総称です。

05同じ分野の学会

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※ 会期・締切は2026/10/24に公式サイトで確認した情報です。変更されることがあるため、投稿・参加の前には公式サイトで最新の情報を確認してください。