IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）は、MOSFETの電圧駆動（高入力インピーダンス・高速スイッチング）とバイポーラトランジスタの大電流・低飽和電圧特性を組み合わせたパワー半導体デバイスです。数百V〜数kVの高電圧・数A〜数kAの大電流を高効率でスイッチングでき、電力変換回路のスイッチング素子として広く使われています。
IGBTの主要用途はインバーター回路（交流モーター駆動用）であり、電気自動車（EV・HEV）のモーター制御、産業用ロボット、エアコン・冷蔵庫などの家電インバーター、太陽光発電・風力発電のパワーコンディショナー、新幹線・電車のトラクションインバーターなどに幅広く採用されています。Si-IGBTは製造プロセスが成熟しており低コストですが、高温・高周波動作ではSiC-MOSFETに置き換えが進んでいます。
IGBTの製造は、パワー半導体専用の拡散・イオン注入・エピタキシー・薄化プロセスを要します。主要メーカーはInfineon Technologies（世界最大シェア）、三菱電機、富士電機、ON Semiconductor、STMicroelectronicsなどです。EV普及と再生可能エネルギー拡大を追い風に、SiC-MOSFETとの棲み分け（低電圧・中周波数帯はIGBT、高電圧・高周波帯はSiC）を保ちながら市場は拡大しています。