当サイトでの位置づけ
SemiraiのALD・エピタキシャル成長カテゴリでは、GAA・FinFET向けHigh-k/メタルゲートのALD装置と、SiGe・III-Vエピタキシャル成長装置の世界的リーダーとして参照されます。
企業の強み
ALD装置で世界トップシェア。GAA・FinFET向けハイK/メタルゲートに必須
SiGe・III-Vエピタキシャル成長装置でも高い技術力
ASMLとの連携でオランダ半導体装置エコシステムの中核を担う
主要製品・ソリューション
ALD装置
- •Pulsar(熱ALD)
- •Eagle(プラズマALD)
- •Synapse(バッチALD)
エピタキシャル成長装置
- •Intrepid ES(SiGe/Si)
- •EmerALD(III-V)
ASMインターナショナルの製品
SONORA(拡散炉)XP4 EmerALD®(ALD装置)XP4 Pulsar®(ALD装置)XP8 Synergis®(ALD装置)XP8 DCM™ PEALD(ALD装置)XP8 QCM PEALD(ALD装置)XP8 JQCM™ PEALD(ALD装置)XP8 Magma PEALD(ALD装置)Epsilon® 2000(エピタキシャル成長装置)Intrepid® ES(エピタキシャル成長装置)Previum®(エピ前プリクリーン)(ドライ洗浄装置)PE1O6A/PE1O8(SiC エピ装置)(SiCパワー半導体製造装置)PE2O8™(SiC エピ装置)(SiCパワー半導体製造装置)XP8 DCM™ PECVD(PECVD(プラズマCVD))XP8 Vertos™(PECVD(プラズマCVD))A400 DUO(拡散炉)
関連装置カテゴリ
半導体製造装置メーカーの世界シェア&カオスマップ
ASML・Applied Materials・TEL・Lam Research・KLAなど、ASMインターナショナルを含む主要メーカーの工程別シェアを図解で比較。
関連用語
同じトピックの用語
配線・メタライゼーション・ゲートスタック(High-k/メタルゲート) のトピックで関連する用語です。
同じトピックの企業
比較・違いを学ぶ
銅配線とコバルト・ルテニウム配線の違い(先端ノード配線材料の比較)
半導体の銅(Cu)配線は1997年にIBMが量産化して以来、ロジックチップの標準配線材料です。しかし5nm以下の先端ノードでは配線幅が10nm以下になり、銅の有…
HKMGとポリシリコンゲートの違い
トランジスタのゲートは、薄い絶縁膜を挟んでチャネルに電界をかけ、電流のオン・オフを切り替える部分です。この小さな積層構造の材料は、微細化の歴史の中で一度、根本か…
銅配線とアルミ配線の違い(半導体配線の比較)
アルミ配線は古くから使われた成膜+エッチングで形成する配線、銅配線は低抵抗・高信頼性を求めて導入されたダマシン(溝埋め込み)で形成する配線です。1990年代後半…
ALDとCVDの違い(原子層成膜 vs 化学気相成膜)
CVD(Chemical Vapor Deposition)は反応ガスを同時供給して連続的に成膜するのに対し、ALD(Atomic Layer Depositi…
Cu-CMPとW-CMPの違い(メタルCMPの比較)
メタルCMPは、配線を作るための「余分な金属を削り落とす」工程です。銅ダマシン配線の余剰Cu除去と、コンタクトプラグのタングステン除去という二大用途がありますが…
FinFETとGAAトランジスタの違い
FinFETは垂直に立つシリコンフィンの三面をゲートで囲む構造で、22nm世代から広く採用されました。GAAはナノシート(または円柱状のナノワイヤ)の全周をゲー…
ASMインターナショナル のご担当者様へ
このページの掲載内容を貴社で管理できます(企業ページの認領)。情報の修正は無料、詳細掲載や資料掲載は有料プランでご利用いただけます。
※ 税別。有料プランは最低3ヶ月から。 プランの詳細を見る