レーザーアニール装置メーカー3社
レーザーアニール装置は、ウェハ表面にレーザー光（UVエキシマレーザーまたはグリーンレーザー）を照射し、ミリ秒以下の超短時間で局所的に高温処理を行う熱処理装置です。基板全体を加熱せず表面のみを瞬間加熱するため、熱予算（サーマルバジェット）を極限まで削減できます。イオン注入後の不純物活性化、シャロージャンクション形成、多結晶シリコンの単結晶化（ELA：エキシマレーザーアニール）などに使用されます。FinFET・GAAなど3D構造デバイスの製造や、3D積層構造でのバックサイドパワーデリバリー（BSPD）において、下層デバイスへの熱ダメージを回避する重要技術として採用が拡大しています。
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Applied MaterialsVantage® Astra™ DSA | SCREENホールディングスLA-3100（フラッシュランプアニール装置） | Mattson TechnologyMillios™ |
|---|---|---|---|
| 加熱方式 | ダイオードレーザー走査（ダイナミックサーフェスアニール） | キセノンフラッシュランプ（ミリ秒） | アークランプによるフラッシュ（ランプ式） |
| 主要用途 | ニッケルシリサイドなどコンタクト層の形成 | ソース／ドレインの不純物活性化 | 先端シリサイド・極浅接合の形成 |
| 処理時間 | 1 ミリ秒未満 | — | 実効 1 ～ 3 ミリ秒 |
1機種だけが掲載している項目（2件）
| 雰囲気 | — | 枚葉処理・低酸素雰囲気 | — |
|---|---|---|---|
| 特徴 | — | 加熱照射時のウェーハ温度を実測 | — |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
Vantage® Astra™ DSA
Applied Materials 初のレーザーアニール装置。ダイオードレーザーを走査し、表面の数層だけを 1 ミリ秒未満で 1,000 ℃超に加熱する。
| 加熱方式 | ダイオードレーザー走査（ダイナミックサーフェスアニール） |
| 処理時間 | 1 ミリ秒未満 |
| 主要用途 | ニッケルシリサイドなどコンタクト層の形成 |
LA-3100（フラッシュランプアニール装置）
キセノンフラッシュランプの数ミリ秒の照射でウェーハ表面を昇降温する SCREEN のミリ秒アニール装置。低サーマルバジェットで不純物を高活性化する。
| 加熱方式 | キセノンフラッシュランプ（ミリ秒） |
| 雰囲気 | 枚葉処理・低酸素雰囲気 |
| 特徴 | 加熱照射時のウェーハ温度を実測 |
| 主要用途 | ソース／ドレインの不純物活性化 |
| 加熱方式 | アークランプによるフラッシュ（ランプ式） |
| 処理時間 | 実効 1 ～ 3 ミリ秒 |
| 主要用途 | 先端シリサイド・極浅接合の形成 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
3社の主要メーカー
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
- •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
- •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
急速熱処理（RTP）・ドライストリップ（プラズマアッシャー）の専業装置メーカー。先端ロジック・メモリのゲート形成・レジスト除去工程を支える。
- •急速熱処理（RTP）装置での業界実績
- •プラズマアッシャー（ドライストリップ）技術
半導体洗浄装置の世界的リーダー。表面処理、ダイレクト描画、画像処理の3大コア技術で、ナノレベルの高精度加工を実現。
- •洗浄装置で世界トップシェア
- •表面処理、ダイレクト描画、画像処理の3大コア技術
同じ分野の装置カテゴリ
アニール炉は、成膜やイオン注入の後にウェハを加熱し、結晶欠陥の回復・不純物の活性化・膜の緻密化・応力緩和を進める熱処理装置です。
メーカー 7 社拡散炉拡散炉（Diffusion Furnace）は、複数のウェハ（数十〜百枚以上）を石英管内に並べ、高温（600〜1200°C）の雰囲気ガス中で同時に熱処理するバッチ式熱処理装置です。
メーカー 6 社酸化炉酸化炉は、シリコンウェハを高温（800〜1100°C）の水蒸気または乾燥酸素雰囲気に置き、シリコン表面を熱酸化してSiO₂（シリコン酸化膜）を形成する熱処理装置です。
メーカー 4 社RTP（急速熱処理）装置RTP（Rapid Thermal Processing：急速熱処理）装置は、ハロゲンランプやフラッシュランプを用いて半導体ウェハを数秒〜数十秒で高温（400〜1200°C）に急速加熱・急速冷却する枚葉式熱処理装置です。
メーカー 5 社