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レーザーアニール装置メーカー2

レーザーアニール装置は、ウェハ表面にレーザー光(UVエキシマレーザーまたはグリーンレーザー)を照射し、ミリ秒以下の超短時間で局所的に高温処理を行う熱処理装置です。基板全体を加熱せず表面のみを瞬間加熱するため、熱予算(サーマルバジェット)を極限まで削減できます。イオン注入後の不純物活性化、シャロージャンクション形成、多結晶シリコンの単結晶化(ELA:エキシマレーザーアニール)などに使用されます。FinFET・GAAなど3D構造デバイスの製造や、3D積層構造でのバックサイドパワーデリバリー(BSPD)において、下層デバイスへの熱ダメージを回避する重要技術として採用が拡大しています。

メーカー 2関連カテゴリ 3

メーカー

2社の主要メーカー

Applied Materials米国

世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。

成膜装置
CVDPVDALD
エッチング装置
エッチングシステム
CMP・イオン注入
CMP装置イオン注入装置
  • 世界最大の半導体製造装置サプライヤー
  • 成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
Mattson Technology米国

急速熱処理(RTP)・ドライストリップ(プラズマアッシャー)の専業装置メーカー。先端ロジック・メモリのゲート形成・レジスト除去工程を支える。

熱処理装置
RTPシステムバッチ熱処理装置
ドライストリップ装置
プラズマアッシャー
  • 急速熱処理(RTP)装置での業界実績
  • プラズマアッシャー(ドライストリップ)技術

関連カテゴリ

拡散炉
酸化炉
RTP(急速熱処理)装置

関連用語

レーザアニールとは →イオン注入とは →イオン注入装置とは →アニール(熱処理)とは →RTP(急速熱処理)とは →拡散炉とは →熱処理とは →熱バジェットとは →ドーパント活性化とは →ドーズ量(注入量)とは →飛程(Rp)とは →チャネリングとは →

比較・違いを学ぶ

レーザーアニールとRTP(急速熱処理)の違い
RTP(Rapid Thermal Processing)はハロゲンランプで基板全体を数秒〜数十秒で1000°C以上に急速加熱するのに対し、レーザーアニール(L
イオン注入と熱拡散の違い(不純物導入プロセスの比較)
イオン注入(Ion Implantation)は不純物(ドーパント)をイオン化・加速して基板に物理的に打ち込む方法で、ドーズ量と加速エネルギーにより濃度と接合深
スパイクアニールとフラッシュランプアニールの違い
イオン注入したドーパントを活性化するには高温が要りますが、高温に留まればドーパントが拡散して接合が深く広がってしまいます。この矛盾をどう解くかが活性化アニールの
ビームライン式イオン注入とプラズマドーピングの違い
どちらもウェハにドーパントを打ち込む手法ですが、イオンの届け方が根本的に違います。ビームライン式は「選別したイオンを一本のビームにして走査する」、PLADは「プ
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