SEMICONDUCTOR EQUIPMENT
酸化炉メーカー4社
酸化炉は、シリコンウェハを高温（800〜1100°C）の水蒸気または乾燥酸素雰囲気に置き、シリコン表面を熱酸化してSiO₂（シリコン酸化膜）を形成する熱処理装置です。ウェット酸化（H₂O雰囲気、成膜速度が速い）とドライ酸化（O₂雰囲気、膜質が高い）の2方式があります。STI（素子分離）の絶縁膜形成、ゲート酸化膜形成、フィールド酸化膜形成など、CMOS製造の基本工程で広く使用されます。バッチ式縦型拡散炉が主流で、数十〜百枚以上のウェハを同時処理します。先端ロジックノードではHigh-k絶縁膜への移行が進む一方、成熟ノード・パワー半導体・アナログデバイスでは熱酸化炉が引き続き主力設備です。
メーカー 4 社関連カテゴリ 3 件
メーカー
4社の主要メーカー
関連カテゴリ
関連用語
比較・違いを学ぶ
レーザーアニールとRTP（急速熱処理）の違い
RTP（Rapid Thermal Processing）はハロゲンランプで基板全体を数秒〜数十秒で1000°C以上に急速加熱するのに対し、レーザーアニール（L…
イオン注入と熱拡散の違い（不純物導入プロセスの比較）
イオン注入（Ion Implantation）は不純物（ドーパント）をイオン化・加速して基板に物理的に打ち込む方法で、ドーズ量と加速エネルギーにより濃度と接合深…
スパイクアニールとフラッシュランプアニールの違い
イオン注入したドーパントを活性化するには高温が要りますが、高温に留まればドーパントが拡散して接合が深く広がってしまいます。この矛盾をどう解くかが活性化アニールの…
ビームライン式イオン注入とプラズマドーピングの違い
どちらもウェハにドーパントを打ち込む手法ですが、イオンの届け方が根本的に違います。ビームライン式は「選別したイオンを一本のビームにして走査する」、PLADは「プ…