SEMICONDUCTOR EQUIPMENT

RTP（急速熱処理）装置メーカー4社

RTP（Rapid Thermal Processing：急速熱処理）装置は、ハロゲンランプやフラッシュランプを用いて半導体ウェハを数秒〜数十秒で高温（400〜1200°C）に急速加熱・急速冷却する枚葉式熱処理装置です。イオン注入後の不純物活性化・結晶欠陥回復、シリサイド形成、高品質ゲート酸化膜形成などに使われ、バッチ拡散炉に比べて熱予算（Thermal Budget）を大幅に削減できます。Applied MaterialsのRadianceシリーズが代表的な製品です。

メーカー 4 社関連カテゴリ 3 件

主要特徴

秒〜分オーダーの超短時間加熱で熱予算（Thermal Budget）を最小化

イオン注入後の不純物活性化・結晶欠陥回復に不可欠

枚葉処理で温度均一性と再現性に優れる

フラッシュRTP・レーザーアニールへの発展で更なる熱予算削減が進む

Applied Materials・SCREEN・Mattson が主要メーカー

よくある質問

RTP（急速熱処理）装置とは何ですか？▾

RTP装置は、ハロゲンランプなどを用いて数秒〜数十秒の短時間でウェハを高温加熱・急速冷却する枚葉式熱処理装置です。イオン注入後の不純物活性化、シリサイド形成、薄膜ゲート酸化膜形成に広く使われます。短時間処理により熱拡散による不純物の拡がりを抑制できます。

RTPとバッチ式拡散炉の違いは何ですか？▾

RTPは1枚ずつ処理する枚葉式で、加熱時間は数秒〜数分。バッチ炉は数十〜百枚を同時処理するため生産性は高いですが処理時間も長く熱予算が大きくなります。先端プロセスでは熱予算削減のためRTPや更に高速なフラッシュアニールが多用されます。

RTP装置の主要メーカーはどこですか？▾

Applied Materials（Radiance Plus等）がRTP装置市場でトップシェアを持ちます。SCREEN（旧大日本スクリーン）の熱処理装置やMattson Technology（独、中Mattson系）も代表的メーカーです。

メーカー

4社の主要メーカー

光洋サーモシステム日本

ジェイテクトグループの熱処理装置メーカー。半導体向けの縦型拡散炉・横型拡散炉、ランプアニール装置などを供給し、酸化膜形成や不純物拡散、活性化アニールの工程を支える。

拡散炉

縦型拡散炉横型拡散炉酸化炉

急速熱処理

ランプアニール装置RTP装置

•縦型・横型の拡散炉を自社で設計製造
•ランプ加熱による急速熱処理（RTP）に対応

会社詳細をみる

公式サイトをみる

Applied Materials米国

世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。

成膜装置

CVDPVDALD

エッチング装置

エッチングシステム

CMP・イオン注入

CMP装置イオン注入装置

•世界最大の半導体製造装置サプライヤー
•成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ

会社詳細をみる

公式サイトをみる

Mattson Technology米国

急速熱処理（RTP）・ドライストリップ（プラズマアッシャー）の専業装置メーカー。先端ロジック・メモリのゲート形成・レジスト除去工程を支える。

熱処理装置

RTPシステムバッチ熱処理装置

ドライストリップ装置

プラズマアッシャー

•急速熱処理（RTP）装置での業界実績
•プラズマアッシャー（ドライストリップ）技術

会社詳細をみる

公式サイトをみる

Kokusai Electric（国際電気）日本

バッチ式縦型CVD・熱処理装置の世界的リーダー。酸化・窒化・ALD成膜を高スループットで実現し、DRAM・NANDのゲート絶縁膜形成に不可欠。

バッチ式CVD装置

VERTEXTRIORA

熱処理装置

縦型拡散炉酸化炉

•バッチ式縦型CVDで世界最高水準のスループット
•バッチALD装置による高アスペクト比への均一成膜

会社詳細をみる

公式サイトをみる

関連カテゴリ

レーザーアニール装置→

関連用語

RTP（急速熱処理）とは →イオン注入とは →イオン注入装置とは →アニール（熱処理）とは →拡散炉とは →熱処理とは →熱バジェットとは →ドーパント活性化とは →レーザアニールとは →ドーズ量（注入量）とは →飛程（Rp）とは →チャネリングとは →

比較・違いを学ぶ

レーザーアニールとRTP（急速熱処理）の違い

RTP（Rapid Thermal Processing）はハロゲンランプで基板全体を数秒〜数十秒で1000°C以上に急速加熱するのに対し、レーザーアニール（L…

イオン注入と熱拡散の違い（不純物導入プロセスの比較）

イオン注入（Ion Implantation）は不純物（ドーパント）をイオン化・加速して基板に物理的に打ち込む方法で、ドーズ量と加速エネルギーにより濃度と接合深…

スパイクアニールとフラッシュランプアニールの違い

イオン注入したドーパントを活性化するには高温が要りますが、高温に留まればドーパントが拡散して接合が深く広がってしまいます。この矛盾をどう解くかが活性化アニールの…

ビームライン式イオン注入とプラズマドーピングの違い

どちらもウェハにドーパントを打ち込む手法ですが、イオンの届け方が根本的に違います。ビームライン式は「選別したイオンを一本のビームにして走査する」、PLADは「プ…

← 半導体装置カテゴリ一覧に戻る