RTP（急速熱処理）装置メーカー5社
RTP（Rapid Thermal Processing：急速熱処理）装置は、ハロゲンランプやフラッシュランプを用いて半導体ウェハを数秒〜数十秒で高温（400〜1200°C）に急速加熱・急速冷却する枚葉式熱処理装置です。イオン注入後の不純物活性化・結晶欠陥回復、シリサイド形成、高品質ゲート酸化膜形成などに使われ、バッチ拡散炉に比べて熱予算（Thermal Budget）を大幅に削減できます。Applied MaterialsのRadianceシリーズが代表的な製品です。
主要特徴
よくある質問
RTP（急速熱処理）装置とは何ですか？▾
RTPとバッチ式拡散炉の違いは何ですか？▾
RTP装置の主要メーカーはどこですか？▾
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Applied MaterialsVantage Vulcan RTP | Applied MaterialsCentura® DPN HD | Applied MaterialsVantage® RadOx™ RTP | Applied MaterialsVantage® Radiance® Plus RTP | Mattson TechnologyHelios® XP（RTPシステム） | Kokusai Electric（国際電気）TANDUO | Kokusai Electric（国際電気）MARORA® | 東京エレクトロン（TEL）Triase+™ SPAi |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 方式 | ランプ加熱式 RTP（枚葉） | デカップルドプラズマ窒化（DPN）＋窒化後アニール（PNA） | ラジカル酸化（RTP・Radiance チャンバー） | 大気圧 RTP（Radiance チャンバー） | 両面加熱（ダブルサイドヒーティング）RTP | 枚葉式 | 枚葉プラズマ処理（MMT 方式・約 1eV） | SPA プラズマ処理（バイアス機能付き） |
| 主要用途 | 不純物活性化・シリサイド形成などの短時間熱処理 | 3X／2X nm 世代の酸窒化ゲート | メモリゲート酸化膜・STI ライナー・フラッシュのトンネル酸化膜・ONO | 注入後のスパイクアニール・シリサイドアニール | 活性化アニール・シリサイド化アニール | 枚葉での熱処理・膜質改善 | プラズマ窒化・プラズマ酸化・選択酸化 | ゲート窒化・ゲート修復酸化・STI ライナー酸化・High-k 窒化 |
| 特徴 | — | — | 熱予算の厳密な管理・工程中モニタリング | — | 表裏の温度バランス制御による高速昇温 | — | — | 高密度・低電子温度プラズマ |
| 対応プロセス | スパイク／サブ秒／超低温／各種メタルアニール | — | — | — | — | アニール・薄膜形成 | — | — |
| 関連機種 | Vantage Radiance Plus RTP（前世代機） | — | — | — | — | MARORA（プラズマ窒化・プラズマ酸化） | — | — |
| 構成 | — | Centura メインフレームに DPN 室と PNA 室を搭載 | — | — | — | モジュール選択式 | — | — |
1機種だけが掲載している項目（5件）
| チャンバー技術 | ハニカム型ランプ光源・多点温度測定・閉ループ制御 | — | — | — | — | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 温度制御 | — | — | — | 7 点測定・100Hz 閉ループ・240rpm 回転 | — | — | — | — |
| 効果 | — | — | — | — | パターン負荷効果の低減・ウェハ応力の管理 | — | — | — |
| 対応範囲 | — | — | — | — | 基板厚・デバイス構造の異なるRTPプロセス | — | — | — |
| 対応ウェハ径 | — | — | — | — | — | — | 300 mm | — |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
Vantage Vulcan RTP
ランプ加熱方式のRTPシステム。前世代機Vantage Radiance Plus RTPのスパイクアニール性能に加え、サブ秒アニールや超低温アニールにも対応する。
| 方式 | ランプ加熱式 RTP（枚葉） |
| 対応プロセス | スパイク／サブ秒／超低温／各種メタルアニール |
| 関連機種 | Vantage Radiance Plus RTP（前世代機） |
| チャンバー技術 | ハニカム型ランプ光源・多点温度測定・閉ループ制御 |
| 主要用途 | 不純物活性化・シリサイド形成などの短時間熱処理 |
| 方式 | デカップルドプラズマ窒化（DPN）＋窒化後アニール（PNA） |
| 構成 | Centura メインフレームに DPN 室と PNA 室を搭載 |
| 主要用途 | 3X／2X nm 世代の酸窒化ゲート |
| 方式 | ラジカル酸化（RTP・Radiance チャンバー） |
| 主要用途 | メモリゲート酸化膜・STI ライナー・フラッシュのトンネル酸化膜・ONO |
| 特徴 | 熱予算の厳密な管理・工程中モニタリング |
Vantage® Radiance® Plus RTP
大気圧 RTP の量産機。ハニカム状のランプ、7 点の温度測定、100Hz の閉ループ制御、240rpm のウェーハ回転を持つ。
| 方式 | 大気圧 RTP（Radiance チャンバー） |
| 温度制御 | 7 点測定・100Hz 閉ループ・240rpm 回転 |
| 主要用途 | 注入後のスパイクアニール・シリサイドアニール |
| 方式 | 両面加熱（ダブルサイドヒーティング）RTP |
| 特徴 | 表裏の温度バランス制御による高速昇温 |
| 効果 | パターン負荷効果の低減・ウェハ応力の管理 |
| 対応範囲 | 基板厚・デバイス構造の異なるRTPプロセス |
| 主要用途 | 活性化アニール・シリサイド化アニール |
| 方式 | 枚葉式 |
| 対応プロセス | アニール・薄膜形成 |
| 構成 | モジュール選択式 |
| 関連機種 | MARORA（プラズマ窒化・プラズマ酸化） |
| 主要用途 | 枚葉での熱処理・膜質改善 |
| 方式 | 枚葉プラズマ処理（MMT 方式・約 1eV） |
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 主要用途 | プラズマ窒化・プラズマ酸化・選択酸化 |
| 方式 | SPA プラズマ処理（バイアス機能付き） |
| 特徴 | 高密度・低電子温度プラズマ |
| 主要用途 | ゲート窒化・ゲート修復酸化・STI ライナー酸化・High-k 窒化 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
5社の主要メーカー
ジェイテクトグループの熱処理装置メーカー。半導体向けの縦型拡散炉・横型拡散炉、ランプアニール装置などを供給し、酸化膜形成や不純物拡散、活性化アニールの工程を支える。
- •縦型・横型の拡散炉を自社で設計製造
- •ランプ加熱による急速熱処理（RTP）に対応
世界最大の半導体製造装置サプライヤー。成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオで、ウェーハ製造の全工程をサポート。
- •世界最大の半導体製造装置サプライヤー
- •成膜、除去、改質、分析の包括的な製品ポートフォリオ
急速熱処理（RTP）・ドライストリップ（プラズマアッシャー）の専業装置メーカー。先端ロジック・メモリのゲート形成・レジスト除去工程を支える。
- •急速熱処理（RTP）装置での業界実績
- •プラズマアッシャー（ドライストリップ）技術
バッチ式縦型CVD・熱処理装置の世界的リーダー。酸化・窒化・ALD成膜を高スループットで実現し、DRAM・NANDのゲート絶縁膜形成に不可欠。
- •バッチ式縦型CVDで世界最高水準のスループット
- •バッチALD装置による高アスペクト比への均一成膜
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
- •コータ/デベロッパで世界トップクラスのシェア
- •塗布、成膜、エッチング装置の総合ラインナップ
同じ分野の装置カテゴリ
アニール炉は、成膜やイオン注入の後にウェハを加熱し、結晶欠陥の回復・不純物の活性化・膜の緻密化・応力緩和を進める熱処理装置です。
メーカー 7 社拡散炉拡散炉（Diffusion Furnace）は、複数のウェハ（数十〜百枚以上）を石英管内に並べ、高温（600〜1200°C）の雰囲気ガス中で同時に熱処理するバッチ式熱処理装置です。
メーカー 6 社レーザーアニール装置レーザーアニール装置は、ウェハ表面にレーザー光（UVエキシマレーザーまたはグリーンレーザー）を照射し、ミリ秒以下の超短時間で局所的に高温処理を行う熱処理装置です。
メーカー 3 社酸化炉酸化炉は、シリコンウェハを高温（800〜1100°C）の水蒸気または乾燥酸素雰囲気に置き、シリコン表面を熱酸化してSiO₂（シリコン酸化膜）を形成する熱処理装置です。
メーカー 4 社