拡散炉メーカー6社
拡散炉（Diffusion Furnace）は、複数のウェハ（数十〜百枚以上）を石英管内に並べ、高温（600〜1200°C）の雰囲気ガス中で同時に熱処理するバッチ式熱処理装置です。熱酸化（Si→SiO₂）・CVD（LPCVD）・アニール・不純物拡散などの工程に使われ、大量処理により高いスループットと低コストを実現します。国際電気（Kokusai Electric：旧日立国際電気）・東京エレクトロン（TEL）・ASMが主要メーカーです。
主要特徴
よくある質問
拡散炉とは何ですか？▾
拡散炉の主要メーカーはどこですか？▾
拡散炉はRTPとどう使い分けますか？▾
スペック比較
複数の機種が掲載している項目を並べています。
| 項目 | Kokusai Electric（国際電気）QUIXACE-II | 東京エレクトロン（TEL）TELINDY PLUS | 東京エレクトロン（TEL）EVAROS™ | 東京エレクトロン（TEL）TELFORMULA™ | 東京エレクトロン（TEL）ALPHA-8SE™ i | ASMインターナショナルSONORA | ASMインターナショナルA400 DUO | ULVAC（アルバック）H83／H84（拡散炉） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 方式 | 縦型大バッチ | バッチ式（縦型炉） | 縦型バッチ式熱処理成膜 | 縦型バッチ式熱処理成膜（短 TAT） | 縦型バッチ式熱処理成膜 | — | バッチ式縦型炉（デュアル反応炉） | 横型拡散炉（3 段／4 段構成） |
| 主要用途 | 酸化膜・CVD膜の形成 | 酸化・拡散・バッチ成膜 | ALD SiO₂・ALD SiN・Poly | CVD Si・SiN・SiO₂・High-k ALD・酸化・アニール | — | — | 拡散・アニール・酸化・LPCVD（ポリシリコン・窒化膜・酸化膜） | — |
| 対応ウェハ径 | — | 300 mm | — | — | 150／200 mm | 300 mm | 200 mm 以下 | — |
| 生産性 | 従来機比 最大 1.25 倍のロット処理 | — | — | — | — | 前世代機 A412 比 最大 30% 向上（レシピ互換） | — | — |
| 関連機種 | AdvancedAce-II・VERTEX Revolution（200 mm） | TELFORMULA・ALPHA-8SE i | — | — | — | — | — | — |
| 処理枚数 | — | — | 最大 200 枚（300mm） | — | 最大 150 枚 | — | — | — |
1機種だけが掲載している項目（10件）
| 対応プロセス | 酸化・拡散・アニール（低温／高温） | — | — | — | — | — | — | — |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最大ロード | — | 125 枚 | — | — | — | — | — | — |
| プロセス温度 | — | RT ～ 1,100 °C | — | — | — | — | — | — |
| シリーズ構成 | — | TELINDY PLUS／TELINDY PLUS IRad（プラズマALD）／EVAROS | — | — | — | — | — | — |
| 特徴 | — | — | — | 高速昇降温ヒーター・完全石英面のリアクター・ドライガスクリーニング | — | — | — | — |
| バッチ処理枚数 | — | — | — | — | — | 最大 150 枚 | — | — |
| 常圧プロセス | — | — | — | — | — | 拡散・不純物活性化・アニール・酸化 | — | — |
| 減圧プロセス | — | — | — | — | — | LPCVD（Poly-Si・SiN・SiO）／バッチALD | — | — |
| ウェハ径・処理枚数 | — | — | — | — | — | — | — | 〜200mm・50／125 枚 |
| 温度 | — | — | — | — | — | — | — | 常用 600〜1,200℃・均熱性 ±1.0℃（5 ゾーン独立制御） |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
| 方式 | 縦型大バッチ |
| 対応プロセス | 酸化・拡散・アニール（低温／高温） |
| 生産性 | 従来機比 最大 1.25 倍のロット処理 |
| 関連機種 | AdvancedAce-II・VERTEX Revolution（200 mm） |
| 主要用途 | 酸化膜・CVD膜の形成 |
| 方式 | バッチ式（縦型炉） |
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| 最大ロード | 125 枚 |
| プロセス温度 | RT ～ 1,100 °C |
| シリーズ構成 | TELINDY PLUS／TELINDY PLUS IRad（プラズマALD）／EVAROS |
| 関連機種 | TELFORMULA・ALPHA-8SE i |
| 主要用途 | 酸化・拡散・バッチ成膜 |
EVAROS™
一度に 300mm ウェーハ 200 枚を処理できる TEL のバッチ式熱処理成膜装置。TELINDY PLUS 比でウェーハあたりの CO₂ 排出を約 25% 削減。
| 方式 | 縦型バッチ式熱処理成膜 |
| 処理枚数 | 最大 200 枚（300mm） |
| 主要用途 | ALD SiO₂・ALD SiN・Poly |
| 方式 | 縦型バッチ式熱処理成膜（短 TAT） |
| 特徴 | 高速昇降温ヒーター・完全石英面のリアクター・ドライガスクリーニング |
| 主要用途 | CVD Si・SiN・SiO₂・High-k ALD・酸化・アニール |
| 方式 | 縦型バッチ式熱処理成膜 |
| 対応ウェハ径 | 150／200 mm |
| 処理枚数 | 最大 150 枚 |
| 対応ウェハ径 | 300 mm |
| バッチ処理枚数 | 最大 150 枚 |
| 常圧プロセス | 拡散・不純物活性化・アニール・酸化 |
| 減圧プロセス | LPCVD（Poly-Si・SiN・SiO）／バッチALD |
| 生産性 | 前世代機 A412 比 最大 30% 向上（レシピ互換） |
| 方式 | バッチ式縦型炉（デュアル反応炉） |
| 対応ウェハ径 | 200 mm 以下 |
| 主要用途 | 拡散・アニール・酸化・LPCVD（ポリシリコン・窒化膜・酸化膜） |
| 方式 | 横型拡散炉（3 段／4 段構成） |
| ウェハ径・処理枚数 | 〜200mm・50／125 枚 |
| 温度 | 常用 600〜1,200℃・均熱性 ±1.0℃（5 ゾーン独立制御） |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
6社の主要メーカー
ジェイテクトグループの熱処理装置メーカー。半導体向けの縦型拡散炉・横型拡散炉、ランプアニール装置などを供給し、酸化膜形成や不純物拡散、活性化アニールの工程を支える。
- •縦型・横型の拡散炉を自社で設計製造
- •ランプ加熱による急速熱処理（RTP）に対応
バッチ式縦型CVD・熱処理装置の世界的リーダー。酸化・窒化・ALD成膜を高スループットで実現し、DRAM・NANDのゲート絶縁膜形成に不可欠。
- •バッチ式縦型CVDで世界最高水準のスループット
- •バッチALD装置による高アスペクト比への均一成膜
世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。
- •コータ/デベロッパで世界トップクラスのシェア
- •塗布、成膜、エッチング装置の総合ラインナップ
ALD（原子層堆積）装置とエピタキシャル成長装置のグローバルリーダー。次世代ロジック・メモリプロセスに不可欠な高品質薄膜形成技術を提供。
- •ALD装置で世界トップシェア。GAA・FinFET向けハイK/メタルゲートに必須
- •SiGe・III-Vエピタキシャル成長装置でも高い技術力
熱処理・拡散炉・酸化炉の専業装置メーカー。半導体前工程のドーパント活性化・ゲート酸化・アニール工程に対応し、太陽電池製造装置でも高い実績を持つ。
- •拡散炉・管状炉で豊富な製品ラインナップ
- •太陽電池製造と半導体の両分野に対応
真空技術を核に、スパッタ・CVD・蒸着・エッチング・測定装置を手がける日本の総合真空機器メーカー。半導体に加えFPD・太陽電池にも展開。
- •真空ポンプからプロセス装置まで一貫した垂直統合
- •スパッタリング装置で国内トップクラス
同じ分野の装置カテゴリ
アニール炉は、成膜やイオン注入の後にウェハを加熱し、結晶欠陥の回復・不純物の活性化・膜の緻密化・応力緩和を進める熱処理装置です。
メーカー 7 社レーザーアニール装置レーザーアニール装置は、ウェハ表面にレーザー光（UVエキシマレーザーまたはグリーンレーザー）を照射し、ミリ秒以下の超短時間で局所的に高温処理を行う熱処理装置です。
メーカー 3 社酸化炉酸化炉は、シリコンウェハを高温（800〜1100°C）の水蒸気または乾燥酸素雰囲気に置き、シリコン表面を熱酸化してSiO₂（シリコン酸化膜）を形成する熱処理装置です。
メーカー 4 社RTP（急速熱処理）装置RTP（Rapid Thermal Processing：急速熱処理）装置は、ハロゲンランプやフラッシュランプを用いて半導体ウェハを数秒〜数十秒で高温（400〜1200°C）に急速加熱・急速冷却する枚葉式熱処理装置です。
メーカー 5 社