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拡散炉メーカー4

拡散炉(Diffusion Furnace)は、複数のウェハ(数十〜百枚以上)を石英管内に並べ、高温(600〜1200°C)の雰囲気ガス中で同時に熱処理するバッチ式熱処理装置です。熱酸化(Si→SiO₂)・CVD(LPCVD)・アニール・不純物拡散などの工程に使われ、大量処理により高いスループットと低コストを実現します。国際電気(Kokusai Electric:旧日立国際電気)・東京エレクトロン(TEL)・ASMが主要メーカーです。

メーカー 4関連カテゴリ 3

主要特徴

数十〜百枚を同時バッチ処理するため高スループット・低コストを実現
熱酸化・LPCVD(CVD成膜)・不純物拡散・アニールなど多用途
成熟ノードではまだ主力だが先端ノードでは熱予算制約からRTPに移行
Kokusai Electric(国際電気)・TEL・ASMが世界主要3社
縦型炉が主流で占有面積の削減と均一性向上を両立

よくある質問

拡散炉とは何ですか?
拡散炉は、多数のウェハを石英チューブ内で同時に熱処理するバッチ式装置です。熱酸化膜形成・LPCVD成膜・不純物の熱拡散・アニールなど多様な工程に使われ、1バッチで数十〜百枚以上を処理できる高生産性が特徴です。
拡散炉の主要メーカーはどこですか?
Kokusai Electric(国際電気:旧日立国際電気)、東京エレクトロン(TEL)、ASMインターナショナルが世界市場の主要サプライヤーです。特にKokusai Electricとテルはバッチ式縦型炉で高い市場シェアを持ちます。
拡散炉はRTPとどう使い分けますか?
拡散炉は大量バッチ処理で低コスト・高スループットが特徴ですが、処理時間が長く熱予算が大きくなります。先端ノード(28nm以下)では不純物の熱拡散を抑制するためRTPや枚葉式処理が優先されますが、成熟ノード・LPCVD成膜・熱酸化では拡散炉が今も主力です。

メーカー

4社の主要メーカー

光洋サーモシステム日本

ジェイテクトグループの熱処理装置メーカー。半導体向けの縦型拡散炉・横型拡散炉、ランプアニール装置などを供給し、酸化膜形成や不純物拡散、活性化アニールの工程を支える。

拡散炉
縦型拡散炉横型拡散炉酸化炉
急速熱処理
ランプアニール装置RTP装置
  • 縦型・横型の拡散炉を自社で設計製造
  • ランプ加熱による急速熱処理(RTP)に対応
Kokusai Electric(国際電気)日本

バッチ式縦型CVD・熱処理装置の世界的リーダー。酸化・窒化・ALD成膜を高スループットで実現し、DRAM・NANDのゲート絶縁膜形成に不可欠。

バッチ式CVD装置
VERTEXTRIORA
熱処理装置
縦型拡散炉酸化炉
  • バッチ式縦型CVDで世界最高水準のスループット
  • バッチALD装置による高アスペクト比への均一成膜
東京エレクトロン(TEL)日本

世界第3位の半導体製造装置メーカー。塗布現像、成膜、エッチング装置で高いシェアを誇り、先端プロセスに不可欠な技術を提供。

塗布現像装置
CLEAN TRACK ACTCLEAN TRACK LITHIUS
エッチング装置
TactrasCertas
成膜装置
EpisodeTriase+TELINDY PLUS
  • コータ/デベロッパで世界トップクラスのシェア
  • 塗布、成膜、エッチング装置の総合ラインナップ
ASMインターナショナルオランダ

ALD(原子層堆積)装置とエピタキシャル成長装置のグローバルリーダー。次世代ロジック・メモリプロセスに不可欠な高品質薄膜形成技術を提供。

ALD装置
Pulsar(熱ALD)Eagle(プラズマALD)Synapse(バッチALD)
エピタキシャル成長装置
Intrepid ES(SiGe/Si)EmerALD(III-V)
  • ALD装置で世界トップシェア。GAA・FinFET向けハイK/メタルゲートに必須
  • SiGe・III-Vエピタキシャル成長装置でも高い技術力

関連カテゴリ

レーザーアニール装置
酸化炉
RTP(急速熱処理)装置

関連用語

拡散炉とは →イオン注入とは →イオン注入装置とは →アニール(熱処理)とは →RTP(急速熱処理)とは →熱処理とは →熱バジェットとは →ドーパント活性化とは →レーザアニールとは →ドーズ量(注入量)とは →飛程(Rp)とは →チャネリングとは →

比較・違いを学ぶ

レーザーアニールとRTP(急速熱処理)の違い
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