ALD/CVD前駆体材料メーカー3社
ALD/CVD前駆体材料(プリカーサー)は、原子層堆積(ALD)および化学気相成長(CVD)プロセスにおいて薄膜を形成するための出発原料です。High-k絶縁膜用のHfCl₄・TDMAH(ハフニウム前駆体)、窒化チタン(TiN)用のTDMAT、酸化アルミニウム(Al₂O₃)用のTMA(トリメチルアルミニウム)など、成膜する材料ごとに専用前駆体が使用されます。前駆体の熱的安定性・反応性・蒸気圧が成膜温度窓・成膜速度・膜質を決定します。先端プロセスでは金属不純物ppbレベル以下の超高純度が要求され、材料の品質管理が製造歩留まりに直結します。ALDの普及拡大(FinFET・GAA・3D NAND)に伴い、新規前駆体の開発と安定供給が産業全体の重要課題となっています。
スペック比較
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| 種類 | メーカー | 製品 | 主要用途 |
|---|---|---|---|
| プリカーサ | Merck KGaA(半導体材料) | High-k/メタル ALD プリカーサ(Hf・Zr・Ti 系) | — |
| 供給システム | Entegris | NOWPak(ライナー式薬液容器・供給システム) | 超高純度薬液・プリカーサの輸送・保管・供給 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
High-k/メタル ALD プリカーサ(Hf・Zr・Ti 系)
ALD で原子層単位の成膜を成立させるための有機金属プリカーサ群。旧 Versum Materials を統合したことで、先端ロジック・DRAM 向けの品揃えを持つ。
| 対象膜種 | HfO₂・ZrO₂・TiN・TaN |
| 成膜方式 | ALD/MOCVD |
| プロセス温度 | 200 ~ 450 °C |
| 管理指標 | 金属不純物・パーティクル・水分量 |
| 供給形態 | 専用キャニスタ(液体・固体昇華式) |
NOWPak(ライナー式薬液容器・供給システム)
硬い外容器の中に柔らかい内袋(ライナー)を入れた Entegris の薬液容器・供給システム。充填・輸送・供給の間、密閉された経路で薬液を外部の汚染から守る。
| 構造 | 内袋(ライナー)+外容器+クロージャー+ディスペンスコネクタ |
| 方式 | 密閉経路による供給 |
| 主要用途 | 超高純度薬液・プリカーサの輸送・保管・供給 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
3社の主要メーカー
産業ガス・特殊ガスの世界大手。半導体向けにはWF₆・NF₃・GeH₄・特殊エッチングガスなど、成膜・エッチング・クリーニングの全工程を支える。
- •半導体向け特殊ガスのグローバルトップサプライヤー
- •Fabオンサイト供給システムによる安定ガス供給
半導体材料インテグリティ管理の専業企業。ウェハキャリア(FOUP)・CMPスラリー・超純水フィルタ・ガス精製器など汚染制御製品でNo.1クラスのシェア。
- •半導体用CMPスラリー・研磨材料のグローバルトップ(CMC Materials統合後)
- •超純水・薬液フィルタで世界最高水準の汚染管理
ドイツの特殊化学・製薬大手Merck KGaAの半導体材料部門。ALD前駆体・高誘電材料・フォトマスクブランクス・液晶など先端材料を供給。
- •ALD/CVD前駆体(High-k・メタルゲート材料)のグローバルリーダー
- •フォトマスクブランクスの主要サプライヤー
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