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ALD/CVD前駆体材料メーカー3社
ALD/CVD前駆体材料（プリカーサー）は、原子層堆積（ALD）および化学気相成長（CVD）プロセスにおいて薄膜を形成するための出発原料です。High-k絶縁膜用のHfCl₄・TDMAH（ハフニウム前駆体）、窒化チタン（TiN）用のTDMAT、酸化アルミニウム（Al₂O₃）用のTMA（トリメチルアルミニウム）など、成膜する材料ごとに専用前駆体が使用されます。前駆体の熱的安定性・反応性・蒸気圧が成膜温度窓・成膜速度・膜質を決定します。先端プロセスでは金属不純物ppbレベル以下の超高純度が要求され、材料の品質管理が製造歩留まりに直結します。ALDの普及拡大（FinFET・GAA・3D NAND）に伴い、新規前駆体の開発と安定供給が産業全体の重要課題となっています。
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