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High-k絶縁膜メーカー4社
High-k絶縁膜（高誘電率絶縁膜）は、従来のSiO₂に代わるMOSFETゲート絶縁膜材料です。SiO₂の比誘電率（k≈3.9）を大幅に上回るHfO₂（k≈25）やZrO₂（k≈25）などを使用することで、物理膜厚を維持しながら実効酸化膜厚（EOT）を大幅に薄くし、ゲートリーク電流を3桁以上削減できます。2007年のIntel 45nmノードで初めて量産に投入され、現在ではFinFET・GAAなどすべての先端ロジックに不可欠な材料です。ALD（原子層堆積法）で成膜されます。
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主要特徴
HfO₂（ハフニウム酸化物）が代表材料。k値25でSiO₂の6倍以上
物理膜厚を厚くしながらEOT（実効酸化膜厚）を薄くし、リーク電流を大幅削減
2007年Intel 45nm世代から量産導入（業界標準化のマイルストーン）
FinFET・GAAのすべてのゲート絶縁膜に採用（SiO₂は先端ノードでは使用不可）
ALD装置（ASM International・Applied Materials等）で数原子層単位で精密成膜
よくある質問
メーカー
4社の主要メーカー
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