High-k絶縁膜メーカー4社
High-k絶縁膜（高誘電率絶縁膜）は、従来のSiO₂に代わるMOSFETゲート絶縁膜材料です。SiO₂の比誘電率（k≈3.9）を大幅に上回るHfO₂（k≈25）やZrO₂（k≈25）などを使用することで、物理膜厚を維持しながら実効酸化膜厚（EOT）を大幅に薄くし、ゲートリーク電流を3桁以上削減できます。2007年のIntel 45nmノードで初めて量産に投入され、現在ではFinFET・GAAなどすべての先端ロジックに不可欠な材料です。ALD（原子層堆積法）で成膜されます。
主要特徴
よくある質問
High-k絶縁膜とは何ですか？▾
なぜSiO₂からHigh-kに移行したのですか？▾
High-k絶縁膜の成膜方法は何ですか？▾
スペック比較
このページの製品は種類が異なります。まず種類で絞り込み、同じ種類の製品どうしを比較してください。
| 種類 | メーカー | 製品 | 主要用途 |
|---|---|---|---|
| プリカーサ | Merck KGaA（半導体材料） | HfO₂ 用 ALD プリカーサ（Hf 系有機金属） | ロジック HKMG・DRAM キャパシタ絶縁膜 |
| 供給システム | Entegris | プリカーサ供給容器（ライナー式） | ALD／CVD 装置へのプリカーサ供給 |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
HfO₂ 用 ALD プリカーサ（Hf 系有機金属）
High-k ゲート絶縁膜の主役である HfO₂ を ALD で成膜するための有機金属プリカーサ。旧 Versum Materials の製品群を引き継いでいる。
| 対象膜種 | HfO₂（High-k ゲート絶縁膜） |
| 成膜方式 | ALD |
| プロセス温度 | 200 ～ 400 °C |
| 主要用途 | ロジック HKMG・DRAM キャパシタ絶縁膜 |
| 供給形態 | 専用キャニスタ（液体・固体昇華式） |
プリカーサ供給容器（ライナー式）
High-k プリカーサを大気・水分に触れさせずに装置へ供給する密閉容器システム。材料そのものより「劣化させずに届ける」ことが歩留まりを決める領域。
| 対象材料 | High-k・メタル系有機金属プリカーサ |
| 方式 | 内袋方式の密閉ディスペンス |
| 狙い | 大気・水分による分解とパーティクル混入の防止 |
| 併用製品 | プリカーサ用フィルタ・気化器 |
| 主要用途 | ALD／CVD 装置へのプリカーサ供給 |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
4社の主要メーカー
ドイツの特殊化学・製薬大手Merck KGaAの半導体材料部門。ALD前駆体・高誘電材料・フォトマスクブランクス・液晶など先端材料を供給。
- •ALD/CVD前駆体（High-k・メタルゲート材料）のグローバルリーダー
- •フォトマスクブランクスの主要サプライヤー
産業ガス・特殊ガスの世界大手。半導体向けにはWF₆・NF₃・GeH₄・特殊エッチングガスなど、成膜・エッチング・クリーニングの全工程を支える。
- •半導体向け特殊ガスのグローバルトップサプライヤー
- •Fabオンサイト供給システムによる安定ガス供給
半導体材料インテグリティ管理の専業企業。ウェハキャリア（FOUP）・CMPスラリー・超純水フィルタ・ガス精製器など汚染制御製品でNo.1クラスのシェア。
- •半導体用CMPスラリー・研磨材料のグローバルトップ（CMC Materials統合後）
- •超純水・薬液フィルタで世界最高水準の汚染管理
化学大手DuPontの電子材料部門。Low-k絶縁材・銅配線CMP材料・ArFフォトレジスト・半導体実装向け接着剤など先端材料を幅広く展開。
- •Low-k誘電体（Black Diamond）でインターコネクト材料のパイオニア
- •銅CMPスラリー・パッドの主要サプライヤー
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メーカー 6 社ウェハ基板材料ウェハ基板材料は、デバイスが作り込まれる土台そのもののカテゴリです。
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