EUVレジストメーカー5社
EUVレジストは、波長13.5nmの極端紫外線（EUV）を用いた露光工程専用の感光性材料です。従来のArF液浸レジストと比較して、EUV光子1個あたりのエネルギーが高く光子数が少ないため、感度・解像度・ラインエッジラフネス（LER）の3つを同時に高水準で満たすことが極めて困難です（RLS トレードオフ）。また、EUV光の高エネルギーで生成する二次電子がパターン精度に影響します。金属含有型レジスト（MOR：Metal Oxide Resist）がブレークスルー候補として注目されています。
主要特徴
よくある質問
EUVレジストとArFレジストの違いは何ですか？▾
EUVレジストの主要メーカーはどこですか？▾
EUVレジストの課題は解決されていますか？▾
スペック比較
複数の製品が掲載している項目を並べています。
| 項目 | JSRInpria 金属酸化物 EUV レジスト | 東京応化工業（TOK）EUV 用化学増幅型レジスト | 信越化学工業EUV 用レジスト材料 |
|---|---|---|---|
| 対応露光波長 | 13.5 nm（EUV） | 13.5 nm（EUV） | 13.5 nm（EUV） |
| レジスト種別 | 金属酸化物系 | 化学増幅型 | 化学増幅型ポジ型 |
| 主要用途 | 先端ロジック・DRAM の EUV パターニング | 先端ロジックの EUV 露光層 | 先端ロジック・メモリの EUV 層 |
1製品だけが掲載している項目（5件）
| 開発元 | Inpria（米オレゴン州、JSR 子会社） | — | — |
|---|---|---|---|
| 管理指標 | — | 感度・解像度・LWR（RLS トレードオフ） | — |
| 金属不純物 | — | ppb オーダー以下で管理 | — |
| 対応世代 | — | — | EUV／High-NA EUV 向け薄膜グレード |
| 供給形態 | — | — | 液体（密閉容器） |
※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
代表製品・スペック
| 対応露光波長 | 13.5 nm（EUV） |
| レジスト種別 | 金属酸化物系 |
| 開発元 | Inpria（米オレゴン州、JSR 子会社） |
| 主要用途 | 先端ロジック・DRAM の EUV パターニング |
EUV 用化学増幅型レジスト
東京応化の EUV 向けレジスト。感度・解像度・ラフネス（RLS トレードオフ）のバランス設計と、金属不純物の極限管理が競争軸になる。
| 対応露光波長 | 13.5 nm（EUV） |
| レジスト種別 | 化学増幅型 |
| 管理指標 | 感度・解像度・LWR（RLS トレードオフ） |
| 金属不純物 | ppb オーダー以下で管理 |
| 主要用途 | 先端ロジックの EUV 露光層 |
EUV 用レジスト材料
信越化学の EUV レジスト。ポリマー・酸発生剤の分子設計を自社で行い、High-NA EUV に向けた薄膜化にも対応を進めている。
| 対応露光波長 | 13.5 nm（EUV） |
| レジスト種別 | 化学増幅型ポジ型 |
| 対応世代 | EUV／High-NA EUV 向け薄膜グレード |
| 主要用途 | 先端ロジック・メモリの EUV 層 |
| 供給形態 | 液体（密閉容器） |
※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。
メーカー
5社の主要メーカー
フォトレジスト・半導体材料の世界的大手。ArFi/EUVレジストのほか、CMPスラリー・洗浄液も展開。2023年に産業革新投資機構（JIC）が株式取得。
- •ArF液浸・EUVフォトレジストで世界首位級のシェア
- •CMPスラリー・研磨材料の総合半導体材料メーカー
フォトレジスト専業の老舗メーカー。KrF〜ArF〜EUVと各世代のレジスト開発を継続し、現像液・洗浄剤などのプロセス薬品も手がける。
- •フォトレジスト専業メーカーとして70年超の実績
- •KrF〜EUV全世代対応のレジスト開発力
シリコンウェハ・フォトレジスト材料・塩化ビニルの世界的大手。半導体向けには300mmウェハとEUVレジスト材料でトップシェア。
- •シリコンウェハ（300mm）で世界シェア約30%
- •ArF/EUV向けフォトレジスト材料で業界首位級
写真・医療映像の技術基盤を半導体材料に展開。EUVフォトレジスト・先進パッケージ向け感光性材料・プロセス薬液を手がける。
- •写真フィルム由来の感光材料技術をEUVレジストに応用
- •先進パッケージング向けフォトレジストフィルム
ドイツの特殊化学・製薬大手Merck KGaAの半導体材料部門。ALD前駆体・高誘電材料・フォトマスクブランクス・液晶など先端材料を供給。
- •ALD/CVD前駆体（High-k・メタルゲート材料）のグローバルリーダー
- •フォトマスクブランクスの主要サプライヤー
同じ分野の装置カテゴリ
ALD/CVD前駆体材料（プリカーサー）は、原子層堆積（ALD）および化学気相成長（CVD）プロセスにおいて薄膜を形成するための出発原料です。
メーカー 3 社アセンブリ用材料アセンブリ用材料は、後工程の組立で使うダイアタッチ材・はんだ・フラックス・アンダーフィル材・リードフレーム材といった材料群の総称です。
メーカー 4 社ボンディング材料ボンディング材料は、後工程の組立工程においてチップ（ダイ）と基板・リードフレーム、またはチップ間の接合に使用される材料群の総称です。
メーカー 6 社ボンディングワイヤボンディングワイヤは、チップのパッドとリードフレーム・基板の端子を電気的に接続する極細の金属線です。
メーカー 3 社バルクガス（N2/O2/Ar）バルクガスは、窒素・酸素・アルゴン・水素・ヘリウムといった、ファブが大量に消費する汎用ガスの総称です。
メーカー 5 社CMPスラリーCMPスラリーは、化学機械研磨（CMP）工程で使用される研磨砥粒と化学反応剤を含むコロイド状の研磨液です。
メーカー 5 社ダイシングテープ・BGテープダイシングテープ・BGテープは、ウェハを保持するための粘着テープです。
メーカー 3 社High-k絶縁膜High-k絶縁膜（高誘電率絶縁膜）は、従来のSiO₂に代わるMOSFETゲート絶縁膜材料です。
メーカー 4 社リードフレームリードフレームは、チップを載せるダイパッドと外部端子となるリードを一体に形成した金属の枠で、QFP・SOP・QFNなどのパッケージの骨格になります。
メーカー 3 社Low-k絶縁膜Low-k絶縁膜（低誘電率絶縁膜）は、配線層間の信号伝播遅延と消費電力を削減するために使用される配線間絶縁材料です。
メーカー 4 社フォトマスクブランクスフォトマスクブランクスは、フォトマスク（レチクル）製造の基材となる精密ガラス基板です。
メーカー 2 社封止材・コーティング材封止材・コーティング材は、チップとワイヤを樹脂で覆い、機械的衝撃・水分・イオン性汚染から保護する材料です。
メーカー 4 社パッケージ基板（FC-BGA・ABF基板）パッケージ基板は、半導体チップとプリント基板の間に入り、チップの微細な端子ピッチをマザーボード側の粗いピッチへ広げる中継配線板です。
メーカー 6 社ペリクルペリクルは、フォトマスクのパターン面から数mm浮かせて張る薄い透明膜で、異物がパターン面へ直接付着するのを防ぐ防塵カバーです。
メーカー 4 社フォトマスクフォトマスクは、回路パターンを描いた露光用の原版で、露光装置はこのパターンを縮小してウェハ上のレジストに転写します。
メーカー 6 社フォトレジストフォトレジストは、露光工程でマスクの回路パターンをウェハ上に転写するために使用される感光性高分子材料です。
メーカー 6 社プロセス薬液プロセス薬液は、レジストの現像、不要膜の剥離、表面の洗浄といった湿式工程で使われる液体材料のカテゴリです。
メーカー 8 社半導体材料半導体材料は、ウェハ・フォトレジスト・特殊ガス・CMPスラリー・封止樹脂・リードフレーム・ボンディングワイヤなど、半導体製造の各工程で使用される多様な材料群の総称です。
メーカー 10 社はんだ材料（はんだボール・ペースト）はんだ材料は、チップ・パッケージ・基板を電気的かつ機械的に接合するための低融点合金で、半導体ではBGA用のはんだボール、フリップチップ用のマイクロバンプ、実装用のはんだペーストとして使われます。
メーカー 5 社特殊ガス・プロセスガス特殊ガスは、半導体製造の成膜・エッチング・洗浄・ドーピングなどの各工程で使用される高純度ガスの総称です。
メーカー 6 社スパッタリングターゲットスパッタリングターゲットは、スパッタ成膜でイオン衝撃を受けて原子を放出する材料側の板材です。
メーカー 6 社ウェハ基板材料ウェハ基板材料は、デバイスが作り込まれる土台そのもののカテゴリです。
メーカー 8 社