SEMICONDUCTOR EQUIPMENT
EUVレジストメーカー5社
EUVレジストは、波長13.5nmの極端紫外線（EUV）を用いた露光工程専用の感光性材料です。従来のArF液浸レジストと比較して、EUV光子1個あたりのエネルギーが高く光子数が少ないため、感度・解像度・ラインエッジラフネス（LER）の3つを同時に高水準で満たすことが極めて困難です（RLS トレードオフ）。また、EUV光の高エネルギーで生成する二次電子がパターン精度に影響します。金属含有型レジスト（MOR：Metal Oxide Resist）がブレークスルー候補として注目されています。
メーカー 5 社関連カテゴリ 9 件
主要特徴
波長13.5nm EUV専用の感光性材料。ArF液浸レジストとは設計原理が異なる
RLS トレードオフ（Roughness・LER、Linewidth、Sensitivity）の同時最適化が最大課題
金属含有型レジスト（MOR）が感度向上の有力候補（Tin-Oxide系等）
JSR・東京応化（TOK）・Inpria（米）が主要開発メーカー
EUVペリクルとの組み合わせで歩留まり向上が求められる
よくある質問
メーカー
5社の主要メーカー
関連カテゴリ
関連用語
比較・違いを学ぶ
EUV露光装置とDUV露光装置の違い
いずれもフォトレジスト上に回路パターンを転写する露光装置ですが、光源の波長と装置構成が根本的に異なります。EUVは13.5nmの極紫外線で単一露光による微細化が…
High-NA EUVと従来EUVの違い（NA=0.55 vs NA=0.33）
EUV露光装置は現在、「従来EUV（NA=0.33、ASMLのNXEシリーズ）」と「High-NA EUV（NA=0.55、ASMLのEXEシリーズ）」の2世代…
ArF露光とKrF露光の違い（DUV露光装置比較）
ArFとKrFはどちらもDUV（深紫外線）エキシマレーザーを光源とするフォトリソグラフィ装置ですが、光源波長が根本的に異なります。ArF（フッ化アルゴン）は19…
シングルパターニングとマルチパターニングの違い
露光装置の解像度には物理的な限界（回折限界）があり、1回の露光ではそのままでは形成できない微細パターンを実現するために開発されたのがマルチパターニング技術です。…
ナノインプリントとEUVの違い（次世代リソグラフィ比較）
ナノインプリントリソグラフィ（NIL）とEUV露光はいずれも半導体製造における微細化を実現するリソグラフィ技術ですが、パターン転写の原理が根本的に異なります。E…
ポジ型レジストとネガ型レジストの違い（フォトレジストの比較）
フォトレジストは露光で溶解特性が変化する感光性材料で、ポジ型は露光部が現像液に溶け（マスクの透過部がパターンとして残る逆）、ネガ型は露光部が硬化して残り未露光部…