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Low-k絶縁膜メーカー4社
Low-k絶縁膜（低誘電率絶縁膜）は、配線層間の信号伝播遅延と消費電力を削減するために使用される配線間絶縁材料です。従来のSiO₂（k≈3.9）より低い誘電率（k＜3.0）を実現し、導体間容量を低減することで信号速度向上と電力削減を達成します。ポーラスSiCOH（k≈2.5以下）が先端ロジックの主流で、CVD/ALD で成膜されます。高孔隙率化で誘電率を下げるほど機械強度が低下するというトレードオフが技術的課題です。
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主要特徴
配線間容量を低減し信号遅延・消費電力を削減する配線層間絶縁材料
k値2.0〜2.5のポーラス（多孔質）SiCOH材料が先端ロジックで主流
低k化（孔隙率増大）と機械強度のトレードオフが製造上の主要課題
CVD/ALD成膜後にスピンコート・熱処理で孔隙を形成するプロセスが多い
Applied Materials・ASM・TEL・Versum（Merck）が主要サプライヤー
よくある質問
メーカー
4社の主要メーカー
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比較・違いを学ぶ
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