FD-SOI ウェハ（Smart Cut™ 製法）

結晶の薄い層を別の基板へ移す Soitec の Smart Cut 技術でつくる SOI ウェハ。世界で売られる SOI ウェハのほぼすべてがこの技術で作られている。

FD-SOI ウェハとは

Soitec の FD-SOI ウェハは、Smart Cut 技術で作る SOI（シリコン・オン・インシュレータ）ウェハです。完全空乏型（FD）のトランジスタを作るための基板として使われます。

Smart Cut は、ある基板から結晶の薄い層を切り出して別の基板に移す技術です。Soitec はこの技術を工業規模で実用化しました。いま世界で売られている SOI ウェハのほぼすべてがこの技術で作られています。

Soitec はフランスの 3 工場に計 4,500m² のクリーンルームを持ち、200mm〜300mm の SOI ウェハを生産しています。シンガポールには FD-SOI のパイロットラインがあります。

製法	Smart Cut（貼り合わせ＋層分離）
口径	200 mm ～ 300 mm
生産拠点	フランス 3 工場（FD-SOI パイロットラインはシンガポール）
主要用途	低消費電力のプロセッサ・通信 SoC

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

複数の製品が掲載している項目を並べています。

項目	SoitecFD-SOI ウェハ（Smart Cut™ 製法）	信越化学工業貼り合わせ SOI ウェハ	SUMCOSOI ウェハ（貼り合わせ）
製法	Smart Cut（貼り合わせ＋層分離）	貼り合わせ＋研削・研磨薄化	貼り合わせ方式
口径	200 mm ～ 300 mm	300 mm／200 mm	300 mm／200 mm
主要用途	低消費電力のプロセッサ・通信 SoC	パワー IC・MEMS・RF デバイス	MEMS・センサ・アナログ／RF
管理指標	—	SOI 層厚み均一性・ボイド・貼り合わせ強度	層厚み均一性・欠陥密度

1製品だけが掲載している項目（3件）

生産拠点	フランス 3 工場（FD-SOI パイロットラインはシンガポール）	—	—
SOI 層厚みの目安	—	数百 nm ～数十 µm	—
BOX 層厚み	—	—	用途別に選択（薄膜～厚膜）

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。