SOIウェハメーカー3社

SOIウェハは、シリコン活性層と支持基板の間に埋め込み酸化膜（BOX層）を挟んだ構造の基板です。素子が絶縁膜で下地から切り離されるため、接合容量が減って高速・低消費電力になり、ラッチアップや放射線によるソフトエラーにも強くなります。活性層を極薄にしたFD-SOIは低電圧動作に向き、RFスイッチやIoT向けSoCで採用されています。製造方法としては水素イオン注入と剥離を使うスマートカット法が広く使われ、活性層の膜厚均一性が特性ばらつきを決めます。

メーカー 3 社関連カテゴリ 7 件

主要特徴

活性層と支持基板の間に埋め込み酸化膜を挟んだ基板構造

接合容量低減により高速・低消費電力を実現する

ラッチアップ耐性とソフトエラー耐性に優れる

スマートカット法が主流で活性層の膜厚均一性が特性を決める

スペック比較

複数の製品が掲載している項目を並べています。

項目	SoitecSmart Cut 製 FD-SOI ウェハ	信越化学工業貼り合わせ SOI ウェハ	SUMCOSOI ウェハ（貼り合わせ）
製法	Smart Cut（イオン注入＋貼り合わせ剥離）	貼り合わせ＋研削・研磨薄化	貼り合わせ方式
口径	300 mm／200 mm	300 mm／200 mm	300 mm／200 mm
主要用途	FD-SOI ロジック・IoT・車載 MCU	パワー IC・MEMS・RF デバイス	MEMS・センサ・アナログ／RF
SOI 層厚みの目安	10 ～ 20 nm（FD-SOI 向け）	数百 nm ～数十 µm	—
管理指標	—	SOI 層厚み均一性・ボイド・貼り合わせ強度	層厚み均一性・欠陥密度

1製品だけが掲載している項目（2件）

BOX 層厚みの目安	10 ～ 25 nm	—	—
BOX 層厚み	—	—	用途別に選択（薄膜～厚膜）

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

代表製品・スペック

製品写真

Soitec

Smart Cut 製 FD-SOI ウェハ

水素イオン注入と貼り合わせで薄い単結晶層を移設する Smart Cut 法による SOI。完全空乏型トランジスタ向けに極薄シリコン層を作る。

製法	Smart Cut（イオン注入＋貼り合わせ剥離）
口径	300 mm／200 mm
SOI 層厚みの目安	10 ～ 20 nm（FD-SOI 向け）
BOX 層厚みの目安	10 ～ 25 nm
主要用途	FD-SOI ロジック・IoT・車載 MCU

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信越化学工業

貼り合わせ SOI ウェハ

酸化膜を挟んで 2 枚のウェハを貼り合わせ、片側を薄化して作る SOI。厚膜 SOI はパワー・MEMS・RF 用途で使われる。

製法	貼り合わせ＋研削・研磨薄化
口径	300 mm／200 mm
SOI 層厚みの目安	数百 nm ～数十 µm
管理指標	SOI 層厚み均一性・ボイド・貼り合わせ強度
主要用途	パワー IC・MEMS・RF デバイス

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SUMCO

SOI ウェハ（貼り合わせ）

研磨ウェハの技術を土台にした SOI。埋め込み酸化膜（BOX）の厚みとシリコン層厚みの組み合わせを用途別に作り分ける。

製法	貼り合わせ方式
口径	300 mm／200 mm
BOX 層厚み	用途別に選択（薄膜～厚膜）
管理指標	層厚み均一性・欠陥密度
主要用途	MEMS・センサ・アナログ／RF

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※ スペックは公開情報に基づく参考値です。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。