パッケージ基板(FC-BGA・ABF基板)メーカー4

パッケージ基板は、半導体チップとプリント基板の間に入り、チップの微細な端子ピッチをマザーボード側の粗いピッチへ広げる中継配線板です。CPU・GPUなどの高性能品では、ABF(味の素ビルドアップフィルム)を絶縁層に積み重ねたFC-BGA基板が主流で、AI向けの大型パッケージでは層数と面積が増え続けています。配線の微細化に加えて反り・熱膨張の制御が難しく、供給能力が先端半導体の出荷量を左右する要素になっています。

メーカー 4関連カテゴリ 22

主要特徴

チップの微細ピッチをプリント基板側へ広げる中継配線板
高性能品ではABFを絶縁層に使うFC-BGA基板が主流
AI向け大型パッケージで層数・面積が増え製造難度が上がる
反りと熱膨張の制御が実装歩留まりと信頼性を左右する

よくある質問

FC-BGA基板とは何ですか?
チップをバンプで裏返しに接続(フリップチップ)し、基板裏面のはんだボールでプリント基板へ実装する構造の基板です。CPU・GPU・ネットワーク用ASICなどに使われます。
パッケージ基板とインターポーザの違いは?
インターポーザはシリコンやガラスで作る、より微細な配線層で、複数チップを高密度に接続します。パッケージ基板はそのインターポーザやチップを載せ、プリント基板へつなぐ役割です。

メーカー

4社の主要メーカー

イビデン(IBIDEN)日本

半導体パッケージ基板(FC-BGA)で世界最大手。Intel・AMD・NVIDIA向けの高多層ABFビルドアップ基板を供給し、ファインセラミックス事業も展開する。

パッケージ基板
FC-BGA基板ABFビルドアップ基板高多層パッケージ基板
ファインセラミックス
半導体製造装置用部材DPF(ディーゼル微粒子フィルター)
  • FC-BGAパッケージ基板で世界トップシェア
  • 高多層ABFビルドアップ基板の微細配線技術
会社詳細
新光電気工業日本

パッケージ基板とリードフレームを主力とする半導体パッケージメーカー。フリップチップ用のFC-BGA基板や各種インターポーザを供給し、組立・検査の受託も手掛ける。

パッケージ基板
FC-BGA基板インターポーザ
リードフレーム
エッチングリードフレームスタンピングリードフレーム
受託サービス
半導体組立・検査受託
  • FC-BGAパッケージ基板で世界有数のシェア
  • リードフレームから有機基板まで幅広い品揃え
会社詳細
京セラ日本

ファインセラミックス技術を核とする国内大手メーカー。半導体パッケージ基板・水晶デバイス・電子部品を幅広く展開し、半導体実装の基盤材料を供給する。

パッケージ・電子部品
セラミックパッケージ基板水晶デバイス
  • セラミックパッケージ基板で世界トップクラス
  • 水晶デバイス・電子部品にも強み
会社詳細
TOPPANホールディングス(Toppan)日本

印刷技術から発展した多角化企業で、半導体向けフォトマスク・パッケージ基板・ガラスコア基板を提供。日本・台湾・韓国のファウンドリ向けEUVマスクを供給し、Intelとガラスコア基板の共同開発を進める。

フォトマスク
EUV位相シフトマスクArFi液浸マスク
パッケージ基板
FC-BGA(AI GPU向け)ガラスコア基板(開発中)
  • EUVフォトマスク量産で大日本印刷と並ぶ国内2強
  • Intelとのガラスコア基板(次世代インターポーザー)共同開発
会社詳細

関連カテゴリ

ALD/CVD前駆体材料

ALD/CVD前駆体材料(プリカーサー)は、原子層堆積(ALD)および化学気相成長(CVD)プロセスにおいて薄膜を形成するための出発原料です。

メーカー 3
アセンブリ用材料

アセンブリ用材料は、後工程の組立で使うダイアタッチ材・はんだ・フラックス・アンダーフィル材・リードフレーム材といった材料群の総称です。

メーカー 4
ボンディング材料

ボンディング材料は、後工程の組立工程においてチップ(ダイ)と基板・リードフレーム、またはチップ間の接合に使用される材料群の総称です。

メーカー 6
ボンディングワイヤ

ボンディングワイヤは、チップのパッドとリードフレーム・基板の端子を電気的に接続する極細の金属線です。

メーカー 3
バルクガス(N2/O2/Ar)

バルクガスは、窒素・酸素・アルゴン・水素・ヘリウムといった、ファブが大量に消費する汎用ガスの総称です。

メーカー 5
CMPスラリー

CMPスラリーは、化学機械研磨(CMP)工程で使用される研磨砥粒と化学反応剤を含むコロイド状の研磨液です。

メーカー 5
ダイシングテープ・BGテープ

ダイシングテープ・BGテープは、ウェハを保持するための粘着テープです。

メーカー 3
EUVレジスト

EUVレジストは、波長13.5nmの極端紫外線(EUV)を用いた露光工程専用の感光性材料です。

メーカー 5
High-k絶縁膜

High-k絶縁膜(高誘電率絶縁膜)は、従来のSiO₂に代わるMOSFETゲート絶縁膜材料です。

メーカー 4
リードフレーム

リードフレームは、チップを載せるダイパッドと外部端子となるリードを一体に形成した金属の枠で、QFP・SOP・QFNなどのパッケージの骨格になります。

メーカー 3
Low-k絶縁膜

Low-k絶縁膜(低誘電率絶縁膜)は、配線層間の信号伝播遅延と消費電力を削減するために使用される配線間絶縁材料です。

メーカー 4
フォトマスクブランクス

フォトマスクブランクスは、フォトマスク(レチクル)製造の基材となる精密ガラス基板です。

メーカー 2
封止材・コーティング材

封止材・コーティング材は、チップとワイヤを樹脂で覆い、機械的衝撃・水分・イオン性汚染から保護する材料です。

メーカー 3
ペリクル

ペリクルは、フォトマスクのパターン面から数mm浮かせて張る薄い透明膜で、異物がパターン面へ直接付着するのを防ぐ防塵カバーです。

メーカー 3
フォトマスク

フォトマスクは、回路パターンを描いた露光用の原版で、露光装置はこのパターンを縮小してウェハ上のレジストに転写します。

メーカー 6
フォトレジスト

フォトレジストは、露光工程でマスクの回路パターンをウェハ上に転写するために使用される感光性高分子材料です。

メーカー 6
プロセス薬液

プロセス薬液は、レジストの現像、不要膜の剥離、表面の洗浄といった湿式工程で使われる液体材料のカテゴリです。

メーカー 8
半導体材料

半導体材料は、ウェハ・フォトレジスト・特殊ガス・CMPスラリー・封止樹脂・リードフレーム・ボンディングワイヤなど、半導体製造の各工程で使用される多様な材料群の総称です。

メーカー 10
はんだ材料(はんだボール・ペースト)

はんだ材料は、チップ・パッケージ・基板を電気的かつ機械的に接合するための低融点合金で、半導体ではBGA用のはんだボール、フリップチップ用のマイクロバンプ、実装用のはんだペーストとして使われます。

メーカー 5
特殊ガス・プロセスガス

特殊ガスは、半導体製造の成膜・エッチング・洗浄・ドーピングなどの各工程で使用される高純度ガスの総称です。

メーカー 5
スパッタリングターゲット

スパッタリングターゲットは、スパッタ成膜でイオン衝撃を受けて原子を放出する材料側の板材です。

メーカー 6
ウェハ基板材料

ウェハ基板材料は、デバイスが作り込まれる土台そのもののカテゴリです。

メーカー 8

関連用語

比較・違いを学ぶ

TSVとワイヤーボンドの違い|接続密度・帯域幅・コストを比較
TSV(Through Silicon Via、シリコン貫通電極)とワイヤーボンディングはともに半導体チップと外部を電気接続する後工程技術ですが、接続方式・密度
ハイブリッドボンディングとフリップチップボンディングの違い
どちらもダイとダイ、またはダイと基板を電気的に接続する実装技術ですが、接合メカニズムと達成できる接続密度が根本的に異なります。フリップチップははんだバンプ(直径
トランスファーモールドとコンプレッションモールドの違い
半導体パッケージの封止(モールド)工程には、金型内にEMC(エポキシモールドコンパウンド)を注入するトランスファーモールドと、金型内にEMCを直接充填・加圧する
BGAとQFNの違い(パッケージ形式の比較)
BGAは底面全体にはんだボールを格子状に配置し数百〜数千のI/Oを確保する高ピン数向けパッケージ、QFNは側面リードを持たず底面周辺の露出パッドで接続する小型・
SiPとSoCの違い(集積アプローチの比較)
SoCはCPU・GPU・メモリ・I/Oなどを単一のシリコンダイに集積するアプローチ、SiPは別々に作った複数のダイや受動部品を1つのパッケージ内に統合するアプロ
WLCSPとFOWLPの違い(ウェハレベルパッケージングの比較)
WLCSPはチップ面積内に端子を収めるファンイン型のウェハレベルパッケージ、FOWLPはチップ外側へ再配線を広げて端子数を増やすファンアウト型です。いずれもパッ
← 半導体装置カテゴリ一覧に戻る