EUV（極紫外光）微影是什麼

EUV 是波長 13.5 奈米的極紫外光。以 EUV 進行曝光，可以用一次曝光做出 7 奈米級以下的微細圖形，是先進邏輯與記憶體製程的關鍵技術。

名稱

台灣

EUV（極紫外光）微影

中國大陸

极紫外光刻

英文

Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography

EUV 是什麼

微影的解析度取決於光的波長。過去主流的 ArF 浸潤式微影使用 193 奈米的光，要做出更細的圖形，必須把同一層拆成多次曝光（多重圖形）。EUV 的波長只有 13.5 奈米，可以用較少的曝光次數做出同樣的圖形，減少製程步驟與疊對誤差。

運作原理

EUV 光源以高功率 CO₂ 雷射照射微小的錫液滴，使其變成電漿並放出 13.5 奈米的光。這種光幾乎會被所有物質吸收，連空氣也不例外，因此曝光機內部必須保持真空，光學系統也不能用透鏡，而是全部改用鉬／矽多層膜的反射鏡，光罩同樣是反射式。

目前能供應 EUV 曝光機的只有荷蘭的 ASML。一般 EUV 機台的數值孔徑（NA）為 0.33，新一代 High-NA EUV 提高到 0.55，可以再提升解析度。

周邊材料與設備

EUV 製程需要專用的光阻、光罩基板與光罩保護膜（pellicle），也需要能以 EUV 波長檢查光罩缺陷的檢測設備。曝光前後的光阻塗佈與顯影，則由與曝光機連線的塗佈顯影機負責。

相關設備・材料

• 微影設備（曝光機・塗佈顯影機）
• 檢測設備
• 光阻

相關企業

• 東京威力科創（TEL）（半導體製造設備（塗佈顯影・蝕刻・薄膜沉積））
• Lasertec（光罩・晶圓檢測設備）
• 信越化學（Shin-Etsu）（矽晶圓・光阻・半導體材料）

相關用語

• 光阻
• FinFET（鰭式場效電晶體）
• GAA（環繞式閘極）
• 微影（曝光）用語表