最後更新:2026年10月8日CMP・平坦化CMP・平坦化中國大陸:胶体二氧化硅(硅溶胶)

膠體二氧化矽是什麼

Colloidal Silica

膠體二氧化矽是直徑數nm~100nm左右的二氧化矽(SiO₂)微粒均勻分散在液體中的膠體。在半導體中用作CMP研磨液的研磨粒子,以及矽晶圓的最終拋光研磨劑。其粒子圓且大小一致,不易造成刮傷,先進製程則使用金屬雜質少的烷氧化物法高純度產品。

目錄4 項
  1. 定義與原理
  2. 常見問題
  3. 相關用語
  4. 比較文章

定義與原理

膠體二氧化矽(Colloidal Silica)是指直徑數nm至100nm左右的二氧化矽(silica:SiO₂)微粒,不沉澱地均勻分散在水等液體中的液體(膠體)。由於粒子表面帶電而互相排斥,可長期保持不凝聚的分散狀態。在半導體中,它是CMP(化學機械研磨)研磨液的研磨粒子,以及矽晶圓最終拋光研磨劑中不可或缺的材料。

膠體二氧化矽的製法主要有2種。1種是以離子交換從矽酸鈉(水玻璃)中去除鈉並使粒子成長的方法,價格低廉,但容易殘留金屬雜質。另1種是將四乙氧基矽烷等烷氧基矽烷水解來製造粒子的方法,金屬雜質極少,且能精密控制粒子的大小與形狀,因此用於半導體先進製程的高純度產品。同樣是二氧化矽研磨粒子,在高溫火焰中製成的發煙二氧化矽(fumed silica)是一次粒子連成鏈狀的凝聚體,而膠體二氧化矽的特點則是圓形且彼此獨立的粒子。

圓形且粒徑一致的膠體二氧化矽,最大的優點是不易在研磨面造成刮傷(scratch)。在矽晶圓的最終拋光中,以鹼性膠體二氧化矽將表面拋光成接近原子等級的平滑鏡面。在元件製程的CMP中,用於研磨氧化層以及銅・阻障金屬・鎢,並改變粒子的大小・濃度・形狀(正球形或異形)來調整研磨速率與缺陷之間的平衡。粒子凝聚或乾燥結塊會造成刮傷,因此在研磨液供應系統中會以過濾器去除粗大粒子。

膠體二氧化矽的常見問題

膠體二氧化矽與發煙二氧化矽有什麼不同?
膠體二氧化矽是在液體中使粒子成長而製成,分散著圓形且彼此獨立的粒子。發煙二氧化矽是在高溫火焰中製成,為細小一次粒子連成鏈狀的凝聚體。膠體二氧化矽較不易刮傷研磨面,發煙二氧化矽則傾向較容易提高研磨速率。
膠體二氧化矽在半導體中用於哪些地方?
主要用作CMP(化學機械研磨)研磨液的研磨粒子,以及將矽晶圓拋光成鏡面的最終拋光研磨劑。在氧化層、銅導線・鎢的CMP中,會改變粒子大小與濃度,調整研磨速率與刮傷・缺陷之間的平衡。

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