CMP設備（Chemical Mechanical Polishing Equipment）是執行化學機械研磨（CMP）製程的半導體製造設備。將晶圓固定在研磨頭（載具）上並壓向研磨墊，一邊供給研磨液（研磨粒＋化學藥劑的混合液），一邊使兩者相對旋轉，將晶圓表面平坦化（拋光）至奈米等級。
CMP設備的主要構成要素為：（1）研磨平台（platen，裝載研磨墊並旋轉的平台）；（2）研磨頭（以背膜與固定環保持晶圓，並以均勻壓力壓向研磨墊）；（3）研磨液供給與回收系統；（4）修整器（防止研磨墊堵塞的調整工具）；（5）終點偵測系統（以光學或電流偵測自動判定CMP終點）。
研磨均勻性的控制是最重要的課題。為將晶圓面內的碟形凹陷（dishing，導線中央過度研磨）與侵蝕（erosion，圖案密集區平坦化不良）降到最低，具分區加壓功能（Multi-zone pressure control）的研磨頭與最佳化的研磨液供給不可或缺。
CMP設備依用途有各自最佳化的專用機型。STI CMP（矽氧化膜研磨）、鎢CMP（接觸窗／通孔研磨）、銅CMP（雙鑲嵌導線研磨）、High-k/金屬閘極CMP（閘極後平坦化）等，各自以適合的研磨液與研磨條件運作。
主要CMP設備廠商有應用材料（Reflexion LK、Reflexion GT：全球市占率最大）、荏原製作所（FREX300系列：在日本與韓國具優勢）、KCTech（韓國）等。研磨液（研磨粒、化學藥劑）供應商則有Entegris（收購Cabot Microelectronics後）、CMC Materials（Inpria）、日立化成（昭和電工材料）等，在市場上居領先地位。