磨粒（Abrasive）是研磨或研削時用來磨除材料的硬質微粒，也稱為研磨材。在半導體領域，從CMP（化學機械研磨）的研磨液、矽晶圓的研光與拋光，到晶背研磨與切割所用的砂輪、刀片，幾乎所有將晶圓磨平、薄化、切開的製程都會用到。磨粒的材質、大小、形狀與硬度，決定了磨除速度與完成表面的品質。
半導體使用的主要磨粒如下。（1）二氧化矽（SiO₂）：以膠體二氧化矽或燻矽（fumed silica）的形式，最廣泛用於氧化膜、銅、鎢的CMP及晶圓的最終拋光。（2）氧化鈰（CeO₂）：容易與氧化膜發生化學反應，以少量粒子即可快速研磨，且能相對於氮化膜選擇性地磨除氧化膜，因此用於STI（淺溝槽隔離）的CMP。（3）氧化鋁（Al₂O₃）：硬度高，用於金屬CMP與研光。（4）鑽石：最硬，用於晶背研磨砂輪、切割刀片，以及SiC等硬質基板的加工。
磨粒分為分散於液體中、搭配研磨墊使用的游離磨粒，以及以樹脂或金屬固結成砂輪或刀片的固定磨粒。在CMP研磨液中，除了平均粒徑之外，極少量混入的大粒子或凝聚塊，是在晶圓上造成深刮傷（scratch）的最大原因，因此會嚴格管控粗大粒子的數量，並在使用前以過濾器去除。砂輪與刀片則以鑽石粒的大小（粒度號數）及固結用結合劑的種類，調整磨除速度與表面粗糙度、崩缺（chipping）之間的平衡。