後段製程・先進封裝用語一覽
涵蓋晶圓切割、黏晶、打線接合、覆晶、封膠，以及 2.5D／3D 封裝、小晶片（Chiplet）與混合鍵合等技術。後段製程把晶片保護並連接到外部，先進封裝更透過高密度整合提升系統效能。
後段製程・先進封裝的用語（90 個）
- 封裝設備封裝設備是在保護半導體晶粒不受外部環境影響的同時，進行電氣連接與組裝的後段製程中所使用之設備的總稱。
- 切割・研磨設備切割・研磨設備是用於將半導體晶圓分割成個別晶片（晶粒）的切割步驟，以及將晶圓背面薄化的晶背研磨步驟之後段製程設備的總稱。
- 黏晶機（Die Bonder）黏晶機（Die Bonder）是將半導體晶粒（晶片）以精密定位安裝（接合）到導線架、基板或其他晶粒上的後段製程設備。
- 打線機（Wire Bonder）打線機是以直徑數十 μm 的金屬細線，連接半導體晶片電極焊墊與基板或導線架端子的後段製程設備。以熱與超音波・壓力接合金線、鋁線、銅線，形成封裝內的電氣配線。雖然覆晶與 TSV 在先…
- 雷射切割雷射切割是將半導體晶圓切割成個別晶片（晶粒）時，以雷射光取代鑽石刀片的切割技術，可大幅縮小切口寬度。
- 晶圓薄化晶圓薄化是將完成的晶圓背面研削・研磨以減少厚度的製程，以晶背研磨機的機械研削為主體，隨著後段製程先進化，重要性急速提升。
- 測試分類機（Test Handler）測試分類機是將已封裝的 IC、SoC 與記憶體晶片自動供應至 ATE 測試座並接觸・回收，再依測試結果自動分類良品／不良品的後段測試自動化設備。
- 矽穿孔（TSV）矽穿孔（TSV）是垂直貫穿矽晶片、內部填入金屬的導通孔，讓上下堆疊的晶片以最短的距離連接，是 HBM 與 3D 封裝的核心技術。
- 先進封裝先進封裝是把多顆晶片以高密度互連整合在一起的封裝技術總稱，包括 2.5D、3D 堆疊與扇出型封裝。在電晶體微縮越來越困難的時代，它成為提升系統效能的主要手段之一。
- HBMHBM（高頻寬記憶體）是把多顆 DRAM 晶片以矽穿孔（TSV）垂直堆疊的記憶體，介面寬度遠大於一般 DRAM，是 AI 加速器與高效能運算不可或缺的元件。
- 小晶片（Chiplet）小晶片（Chiplet）是不以單一大型晶片製作，而是依功能區塊個別製造小型晶粒，再以先進封裝進行2.5D 或3D 整合的設計架構。其優點是小晶粒的缺陷機率較低、良率較高，且可只將 …
- 3D IC（三維堆疊積體電路）3D IC（三維堆疊積體電路）是將多顆半導體晶粒沿垂直方向（Z 軸方向）堆疊，並以 TSV 或混合鍵合進行電氣連接的積體電路技術，可在縮小占用面積的同時實現更多功能與更高頻寬。
- 晶圓接合晶圓接合是將2片晶圓或薄化晶粒高精度對準後接合的技術。包括不使用黏著劑、直接接合表面的直接接合，以及同時接合 Cu 電極與絕緣膜的混合鍵合等方式，用於3D IC、SOI 基板、ME…
- 覆晶覆晶是將半導體晶片的電路形成面（主動面）朝下，直接安裝於基板上的連接技術，在晶片端子上形成稱為「凸塊」的凸起狀連接電極，與基板電極直接接合。
- 中介層（Interposer）中介層是用來將多顆晶片並排搭載的中間基板，負責以高密度、短距離連接晶片。它能提供封裝載板（PCB）因導線間距過粗而無法實現的數μm～數十μm 微細導線，讓 GPU 與 HBM 之類…
- CoWoSCoWoS 是台積電開發的 2.5D 先進封裝技術：把運算晶片與 HBM 記憶體並排放在中介層上，再接到封裝載板，讓晶片之間以極短距離、極高頻寬互連。
- 混合鍵合（Hybrid Bonding）混合鍵合是將銅（Cu）金屬焊墊與氧化矽（SiO₂）介電質同時直接接合，不使用焊料凸塊即可堆疊晶片的技術。由於不需凸塊，電極間距可微縮至1μm以下，實現高密度、低延遲、低功耗的3D堆…
- 扇出型晶圓級封裝（FOWLP）扇出型晶圓級封裝（FOWLP）是將晶片埋入重組晶圓，並把重布線層（RDL）延伸到晶片外圍以配置輸入輸出端子的封裝技術。
- UCIeUCIe是在單一封裝內互連多顆由不同廠商、不同製程製造之小晶片（晶粒）的開放式業界標準介面規範。
- IC載板（封裝載板）IC載板是位於半導體晶片與印刷電路板（PCB）之間的多層導線基板，作為將晶片細間距端子轉換（扇出）為PCB較粗間距端子的介面零組件。
- 矽光子（Silicon Photonics）矽光子是使用矽及相關材料，以與標準CMOS製程高度相容的製造技術製作光波導、調變器、光偵測器等光學元件，藉光訊號實現資料傳輸與處理的技術領域。
- 晶背研磨機晶背研磨機是研削已形成電路之晶圓背面、使其薄化的後段製程設備。將通常750～780μm 的晶圓薄化至50～150μm，可實現封裝薄型化、提升散熱性並因應3D 堆疊。在記憶體多層堆疊…
- 晶圓接合機晶圓接合機是在原子、分子層級接合2片以上晶圓或晶片的先進封裝設備。從 CMOS 影像感測器的導線層接合、以 TSV 實現的3D IC、MEMS 的封蓋接合，到 AI 晶片用的混合鍵…
- 微凸塊微凸塊是用於晶片與晶片、或晶片與中介層之間電性連接的小型焊料（或金屬）凸塊，直徑通常為10～50μm，比傳統C4凸塊（直徑100～200μm）大幅微縮。
- 重布線層（RDL）重布線層（RDL）是將晶片上I/O焊墊的位置與間距「重新布線」到更寬間距或不同配置的薄膜金屬導線層，由低介電常數有機絕緣膜與Cu導線層1～數層堆疊而成。
- 銅柱凸塊銅柱凸塊是覆晶封裝使用的電性連接結構，在晶片焊墊上以電解Cu電鍍形成柱狀銅，再於其上覆蓋焊料（SnAg），可實現細間距化、高電流密度化與低電感化。
- 先進封裝設備先進封裝設備是實現2.5D/3D IC、小晶片、Fan-Out WLP、HBM堆疊等高密度封裝的後段製程設備群。
- 可靠度試驗設備可靠度試驗設備是將半導體元件置於高溫、高電壓、溫度循環等應力條件下，進行預燒（Burn-in）試驗以加速並剔除早期故障，以及進行長期可靠度評估的設備。
- 玻璃核心基板玻璃核心基板是以玻璃取代有機材料（ABF）作為封裝載板核心材料的封裝基板，熱膨脹係數小，可進行高密度、微細的RDL圖案化。
- PLP（面板級封裝）PLP（面板級封裝）是不在300mm圓形晶圓上、而在大型矩形面板上進行半導體後段封裝的製造方法，可大幅增加每片可取得的晶片數並降低成本。
- InFO（整合扇出型封裝）InFO（整合扇出型封裝）是台積電開發並量產的扇出型晶圓級封裝（FOWLP）技術，以重布線層連接封裝外部端子，實現無載板、薄型與高密度連線。
- FOPLP（扇出型面板級封裝）FOPLP（扇出型面板級封裝）是不在晶圓（直徑300mm圓形）上、而在大型矩形面板上進行扇出型封裝的技術，1次處理可取得的晶片數大幅增加，可望降低成本。
- BGA（球柵陣列封裝）BGA（球柵陣列封裝）是在封裝底面以格狀排列大量錫球，並以其作為外部連接端子的半導體封裝形式。
- QFN 封裝QFN 封裝是不讓引腳從封裝側面向外突出，而是以露出於底面周邊的電極焊墊與基板連接的導線架型封裝。
- SiP（系統級封裝）SiP（系統級封裝）是將多顆半導體晶片與被動元件整合於單一封裝內，以實現系統功能的構裝技術。
- WLCSP（晶圓級晶片尺寸封裝）WLCSP（晶圓級晶片尺寸封裝）是在晶圓切割成單顆之前，直接以晶圓狀態進行重布線層（RDL）與焊料凸塊形成等封裝步驟，最後再切割完成的封裝技術。
- EMIB（嵌入式多晶粒互連橋接）EMIB（嵌入式多晶粒互連橋接）是英特爾開發的 2.5D 先進封裝技術，在封裝載板中嵌入小型矽橋接，以高密度連接相鄰的多顆晶粒。
- Foveros（英特爾 3D 堆疊技術）Foveros（英特爾 3D 堆疊技術）是英特爾的 3D 先進封裝技術，將多顆邏輯晶粒垂直堆疊，並以微凸塊或混合鍵合直接連接晶粒之間。
- SoIC（系統整合晶片）SoIC（系統整合晶片）是台積電提供的 3D 先進封裝技術，不使用凸塊，而以銅對銅的混合鍵合直接接合多顆晶粒並垂直堆疊。
- 底部填膠（Underfill）底部填膠（Underfill）是在覆晶構裝中，填充於晶粒與封裝載板（或晶粒彼此）間隙的樹脂材料，用以機械性補強焊料凸塊接點並提高可靠度。
- EMC（環氧樹脂封裝膠材）EMC（環氧樹脂封裝膠材）是後段製程封膠（molding）時使用的環氧系成型材料，用以保護半導體晶片不受濕氣、汙染、機械衝擊與光等外部環境影響。
- 隱形切割（Stealth Dicing）隱形切割（Stealth Dicing）是將雷射光聚焦於晶圓內部形成改質層，再以擴片將晶圓裂斷成單顆晶粒的切割技術，由迪思科（DISCO）實用化。
- QFP（四方扁平封裝）QFP（四方扁平封裝）是從封裝四邊呈放射狀伸出引腳（外部連接端子）的表面黏著型封裝總稱，是最基本的導線架系封裝，廣泛用於微控制器、邏輯IC與類比IC等用途。
- 導線架導線架是在QFP、QFN、SOP等傳統半導體封裝中，固定晶粒並將打線接合的電極連接到外部印刷電路板的金屬骨架零件，以銅合金或42合金薄板經蝕刻或沖壓加工製成。
- 2.5D封裝2.5D封裝是將多顆半導體晶粒並排搭載於矽中介層或RDL（重布線層）橋接等中間層上，並以微細導線高密度連接的構裝方式，而非在基板上垂直堆疊（3D）。
- 刀片切割刀片切割是讓電鍍鑽石刀片高速旋轉，以機械方式切削晶圓、將其分割成一顆顆晶片（晶粒）的切割方式，是最傳統且使用最廣的晶圓切割技術。
- 球形接合球形接合是打線接合的代表性方式，以放電將金線前端熔融形成球狀，再併用超音波、加壓與加熱，將其接合到晶片的電極墊上。
- 楔形接合楔形接合是打線接合的一種方式，不形成球體，僅以超音波能量與加壓從水平方向將線材接合到電極墊上，主要使用鋁線，可在常溫下接合。
- 黏晶（Die Bonding）黏晶是將以晶圓切割切下的個別晶粒（晶片），固定在導線架、基板或晶圓上指定位置的後段構裝製程，又稱為Die Attach。
- C4凸塊（焊料凸塊）C4凸塊是覆晶構裝中長期使用的焊料製凸狀電極，形成於晶片的電極墊上，並透過回焊（加熱熔融）與基板側的接墊以自我對準方式接合。
- 熱壓接合（TCB）熱壓接合（TCB）是同時施加熱與壓力，使晶粒電極（凸塊）與基板或下層晶粒電極形成金屬間接合的先進封裝構裝技術，特點是一邊高精度對位、一邊依序接合晶粒。
- 共晶接合共晶接合是利用兩種金屬以特定組成比組合時，會在低於各自熔點的溫度（共晶點）液化的現象，將晶粒與基板或晶圓彼此進行金屬接合的技術。
- 銅夾片接合（Clip Bonding）銅夾片接合是在功率半導體封裝中，以銅製平板狀夾片（金屬板）取代細線，透過焊接連接晶粒電極的構裝技術，可降低電阻與電感。
- 晶片黏著膜（DAF）晶片黏著膜（DAF）是用於黏晶的薄膜狀黏著材料，取代液狀黏著劑（膏材），預先以均勻厚度貼附於晶圓背面。
- 轉注成型（Transfer Molding）轉注成型是半導體封裝封膠中使用最廣的成型方式，將加熱軟化的固態環氧樹脂封裝材料（EMC）錠，經由流道與澆口加壓注入模具模穴，將晶片、線材與導線架一體封裝。
- 壓縮成型（Compression Molding）壓縮成型是將粒狀、液狀或薄膜狀的環氧樹脂封裝材料（EMC）直接投入模穴，以上下模具均勻加壓成型的封膠方式，可在低應力、低翹曲下均勻封裝大面積。
- 封膠設備（Molding Equipment）封膠設備是以環氧樹脂封裝材料（EMC）封裝半導體晶片、保護其免受外部環境影響的後段製程設備，依成型方式大致分為轉注成型設備與壓縮成型設備。
- 穿模通孔（TMV）穿模通孔（TMV）是在封膠後的模封樹脂內部形成垂直貫穿的導通路徑（通孔），使封裝上下（正反面）電性連接的技術，主要用於PoP結構中的垂直連接。
- 異方性導電膜（ACF）異方性導電膜（ACF）是在絕緣樹脂中分散微小導電粒子的薄膜狀連接材料，僅在厚度方向導電、在面內方向保持絕緣，加熱加壓後即可同時完成導通與機械接合。
- 助焊劑助焊劑是在焊接與回焊製程中，以化學方式去除金屬表面氧化膜、提高焊料潤濕性以確保接合的輔助材料。
- 銀燒結接合銀燒結接合是將含奈米或微米級銀粒子的膏材塗佈於晶粒與基板之間，在相對低溫（200～250℃左右）與加壓下燒結，形成緻密銀接合層的新一代黏晶技術。
- 空洞（Void）空洞（Void）是在半導體封裝內部非預期產生之微小空隙（氣泡）缺陷的總稱，可能發生於封膠製程、焊料接合部、底部填充膠填充、黏晶材料接合層等各種位置。
- CSP（晶片尺寸封裝）CSP（晶片尺寸封裝）是封裝外形尺寸在晶片（晶粒）1.2倍以內的小型封裝總稱。由於封裝可做到與晶片幾乎相同大小，能將構裝面積降到最小，廣泛用於智慧型手機與穿戴式裝置等要求小型、薄型…
- PoP（堆疊式封裝）PoP（堆疊式封裝）是將完成的半導體封裝上下堆疊，並以錫球電性連接封裝之間的3D構裝技術。代表性架構是下層為邏輯（應用處理器）、上層為記憶體（LPDDR），由於可節省構裝面積，廣泛…
- 均熱片／散熱器均熱片是將半導體晶片產生的熱擴散至更大面積、協助散熱的金屬零件。與覆蓋CPU或GPU封裝上表面的金屬蓋（IHS），以及安裝於其上的散熱器搭配，抑制晶片溫度上升。在功耗達數百W的AI…
- 玻璃穿孔（TGV）玻璃穿孔（TGV）是將貫穿玻璃基板的微細孔以銅等材料導體化，使基板正面與背面電性連接的結構。與矽的 TSV 不同，玻璃本身是絕緣體，因此不需要襯層，高頻特性與大面積平坦性也較佳。它…
- 水刀（Water Jet）水刀是將高壓水以細束噴流噴出，利用其衝擊力進行去除・清洗・加工的技術。在半導體領域主要用於後段製程，用途包括去除封膠後殘留的樹脂溢膠（去溢膠，deflash）、切割後的切屑清洗，以…
- 打線接合（Wire Bonding）打線接合是以直徑約15～50μm的金・銅等細金屬線，連接半導體晶片電極與導線架或IC載板端子的後段製程連接技術。分為以瓷嘴（capillary）形成焊球進行接合的球形接合（ball…
- 回焊（Reflow）回焊是將錫膏或錫球加熱熔化，使零件與基板電極一次完成接合的焊接方法。依預熱・主加熱・冷卻的溫度曲線進行，無鉛焊料的峰值約230～250℃，零件的耐熱條件則由JEDEC J-STD-…
- 無鉛焊料無鉛焊料是指不含鉛的焊料，以歐盟RoHS指令（2006年施行）為契機，從錫鉛焊料轉換而來。標準組成為Sn-3.0Ag-0.5Cu（SAC305，熔點約217℃），另有低溫用的Sn-…
- 錫球錫球是以格狀排列安裝在BGA、CSP等封裝背面的球狀焊料，作為組裝到基板時的外部端子。直徑以0.76mm左右至0.25mm前後為主，以植球機搭載後經回焊接合。材料為SAC305等無…
- 填角（Fillet）填角（fillet）是焊料・黏著劑・底部填充膠樹脂等沿著零件側面與基板之間爬升，所形成下擺展開的曲面狀隆起。焊料填角的形狀可顯示潤濕性的好壞，是外觀檢測的對象。在黏晶與底部填充中，…
- 瓷嘴（Capillary）瓷嘴（capillary）是打線接合的球形接合（ball bonding）所使用、中心開有穿線孔的錐形陶瓷工具。安裝在打線機的超音波換能桿（horn）上，將焊球壓在焊墊上完成接合，…
- 沖線（Wire Sweep）沖線（wire sweep）是以樹脂封膠打線完成的晶片時，接合線被流入的樹脂推擠而變形的現象。它是造成與相鄰線材短路的原因，以沖線率（位移÷線長）管理在數%以下。可透過低黏度樹脂、…
- LOC（Lead On Chip）LOC（Lead On Chip）是將導線架的引腳延伸到晶片表面上方，並隔著絕緣膠帶直接貼附的封裝結構。不需要晶片座，能在外形固定的封裝中容納更大的晶片，因此在1990年代的DRA…
- SOP・SOJ（小外形封裝）SOP（小外形封裝）是從長方形樹脂封裝兩側2邊伸出鷗翼形引腳的表面黏著型封裝。衍生型包括薄型的TSOP與窄間距的SSOP等，而將引腳向本體下方彎成J字形的SOJ，過去曾是DRAM的…
- 離板高度（Standoff）Standoff（離板高度）是零件與基板之間間隙的高度，在半導體黏著中，是指封裝底面與基板之間的距離，也就是焊點的高度。由於熱膨脹係數不同，每次溫度變化時焊料都會發生剪切般的變形，…
- 基準標記（Fiducial Mark）基準標記是為了讓設備的攝影機等準確辨識位置，而在基板、晶圓、光罩上設置的基準記號。表面黏著機、黏晶機、覆晶接合機、切割設備、針測機會讀取標記並修正位置。在EUV空白光罩中，也作為記…
- 柯肯達爾空洞（Kirkendall Void）柯肯達爾空洞是在2種金屬接觸的界面上，因原子擴散速率不同而累積空位所形成的微小空洞。在金線與鋁焊墊的接合，或銅電極與焊料的接合中，長時間置於高溫時會隨著介金屬化合物的成長而產生，造…
- CCL（銅箔基板）CCL（銅箔基板）是在玻璃纖維布含浸樹脂所製成的絕緣板上貼合銅箔的材料，是製作印刷電路板與IC載板的起始材料。除了一般的FR-4之外，IC載板的核心層會使用BT樹脂等。針對AI伺服…
- 熱膨脹係數（CTE）熱膨脹係數（CTE）是溫度上升1℃時材料長度伸長的比例，以ppm/K表示。矽約2.6ppm/K、銅約17ppm/K、基板約14～17ppm/K，晶片與封裝材料的數值差異很大。這個差…
- 封裝翹曲（Warpage）封裝翹曲（Warpage）是因熱膨脹係數不同的晶片、樹脂、基板伸縮量的差異，使半導體封裝彎曲成弓形的現象。翹曲方向會隨溫度改變，迴焊時翹曲過大會造成BGA空焊或橋接等組裝不良。在大…
- 共面度（Coplanarity）共面度是表示封裝的引腳前端或錫球下端，在同一平面上對齊程度的數值。端子高度不一致時，懸空的端子無法接觸焊料，會造成接合不良。其成因包括引腳變形、錫球大小不一與封裝翹曲，會以3D外觀…
- 印刷電路板（PCB）印刷電路板（PCB）是在絕緣板上形成銅導線，用來承載並連接半導體封裝與電子元件的基板，是幾乎所有電子產品的基礎。將銅箔基板的銅箔蝕刻成線路，種類包括多層板、HDI板與軟板等。其線路…
- 表面黏著技術（SMT）表面黏著技術（SMT）是將電子元件直接放在印刷電路板表面的電極上進行焊接的組裝方法，是目前電子產品的主流。流程為印刷錫膏、以貼片機放置元件、在迴焊爐中焊接，再以外觀檢測或X光檢測。…
- 聚醯亞胺（Polyimide）聚醯亞胺是在樹脂中具有頂級耐熱性，且絕緣性、強度與耐化學性也很優異的高分子。在半導體中，它作為晶片表面的保護膜（緩衝塗層）以緩和封膠的應力，在先進封裝中則用於重布線層（RDL）的絕…
- 研磨砂輪（Grinding Wheel）研磨砂輪（Grinding Wheel）是以結合劑固定鑽石等堅硬磨粒，製成圓盤或環狀的工具，高速旋轉以磨削材料。在半導體的晶背研磨中，標準作法是先以粗砂輪快速磨削，再以細砂輪精磨的…
- 點膠機（Dispenser）點膠機是將黏著劑、樹脂、錫膏等液態材料，以固定的量吐出並塗佈在固定位置的設備。在半導體後段製程中，用於塗佈底部填充膠（underfill）與黏晶用膠材等。有氣壓式、螺桿式、容積計量…
- 空腔／模穴（Cavity）Cavity意指「空洞、凹陷」，在半導體中有2種意思：一是不以樹脂包覆晶片、而將其收納於空間中的空腔封裝（中空封裝），二是樹脂封裝模具中呈產品形狀的凹槽（模穴）。空腔封裝用於影像感…
- 暫時鍵合／解鍵合（TBDB）暫時鍵合／解鍵合（TBDB）是將晶圓暫時黏著在支撐基板（載板，carrier）上進行薄化研磨與加工，完成後再剝離的技術。厚度數十µm的薄晶圓單獨存在時會因翹曲或破裂而無法處理，因此…
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最後更新：2026年10月8日