扇出型晶圓級封裝（FOWLP：Fan-Out Wafer-Level Packaging）是將晶片埋入重組晶圓（Reconstituted Wafer），並把重布線層（RDL：Redistribution Layer）延伸到晶片外圍以配置輸入輸出端子的封裝技術。不使用載板（中介層）即可實現高密度端子配置，作為薄型、低成本、高電氣性能的封裝，自2000年代後半起快速普及。
FOWLP的製程大致分為2種做法。「Chip-First」方式先將晶粒封膠，再形成重布線，台積電的InFO（Integrated Fan-Out）是其代表。「RDL-First（Chip-Last）」方式則先形成RDL再搭載晶粒，細間距導線的精度較高。兩者都能實現不依賴傳統表面黏著技術（SMT）的薄型封裝。
台積電的InFO技術因被Apple A10以後的iPhone應用處理器採用而受到業界矚目。InFO-POP（Package on Package）可在上層堆疊DRAM，已成為智慧型手機用的最先進封裝。目前也廣泛擴展至AI邊緣裝置、穿戴式裝置與IoT用途。
FOWLP與扇出型面板級封裝（FOPLP）的差異在於：FOWLP使用直徑300mm的晶圓形狀，而FOPLP則使用500×500mm以上的矩形面板以降低成本。三星正積極推動FOPLP量產化，未來也可望應用於AI用大型封裝。
FOWLP與2.5D/3D封裝的結合也在推進。ASMPT提供的扇出型對應構裝設備，以及使用噴墨印刷的低成本RDL形成技術等，設備與材料的生態系日益完善。2025年以後可望擴大應用於AI邊緣晶片與毫米波通訊模組，預估FOWLP市場將以每年10%以上的速度成長。