晶背研磨機（Back Grinder）是研削半導體晶圓中與形成電路之正面相反的背面，使晶圓薄化的後段製程設備。將元件完成後的晶圓（完成後厚度通常為750～780μm）薄化至50～150μm，可實現封裝薄型化、提升散熱性，並因應晶片堆疊（3D 堆疊）。隨著智慧型手機、穿戴裝置與記憶體的薄型化需求，進一步薄化到極薄（20～50μm）的要求日益提高。
晶背研磨製程由「背面研磨（back lapping）」→「精細拋光」→「應力消除（stress relief）」3個階段構成。第1階段的粗研削（Coarse Grinding）使用鑽石砂輪高速去除材料，第2階段的精研削（Fine Grinding）降低表面粗糙度。最後階段以電漿蝕刻或化學機械研磨（CMP）去除研削損傷層，確保晶片強度。研削前必須貼上晶背研磨膠帶（BG 膠帶）以保護晶圓正面。
晶背研磨機市場由迪思科（DISCO）居全球之首，東京精密（Tokyo Seimitsu，ACCRETECH）、岡本工作機械（Okamoto）等日本廠商緊追在後。東京精密以結合晶圓針測機的整合解決方案，與半導體廠商建立了深厚的客戶關係。迪思科（DISCO）也提供背面研削設備，作為整個後段製程的解決方案供應商發揮其優勢。
隨著3D NAND 記憶體、HBM 堆疊與先進封裝（CoWoS、SoIC 等）的普及，晶背研磨的重要性快速提升。在 TSV（矽穿孔）形成中，TSV 之後需要薄化到200μm 以下。此外，「DBG（Dicing Before Grinding，先切割後研磨）」製程是先以切割刻出溝槽，再以晶背研磨分割成晶片，因此能同時兼顧降低晶粒破裂風險與薄化。
SiC（碳化矽）功率半導體的普及也對晶背研磨機市場帶來很大影響。SiC 比矽更硬（莫氏硬度9.5），使用一般 Si 用的砂輪，研削效率會大幅下降。SiC 專用的超硬鑽石砂輪、研削條件最佳化以及研削後表面品質的確保都是課題，在電動車與電力基礎設施需求擴大的背景下，SiC 用晶背研磨機的開發競爭仍在持續。