次臨界區（Subthreshold Region）是指MOS電晶體的閘極電壓低於臨界電壓（Vth），電晶體原本應為關閉狀態，卻仍有微小汲極電流流動的區域。此電流稱為次臨界電流（次臨界漏電），是在通道形成反轉層之前的階段，載子藉由擴散流動所產生。其特點是電流隨閘極電壓呈指數變化。
表示次臨界區電流變化陡峭程度的是次臨界擺幅（S值，次臨界係數），以使電流變化10倍所需的閘極電壓變化（mV/dec）表示。S值越小，就能以較小的電壓迅速導通・關斷電晶體，並保持較小的關閉電流。一般MOS電晶體在室溫下，原理上無法使S值小於約60mV/dec，這是由載子的熱分布所決定的極限（波茲曼極限）。
次臨界特性直接關係到功耗與微縮化。要降低電源電壓，也必須降低臨界電壓，但S值無法低於約60mV/dec，因此降低臨界電壓會使關閉時的漏電流呈指數增加。這是登納德縮放（Dennard scaling）走入瓶頸的一大原因。微縮化使閘極控制力減弱時S值會惡化，因此以立體包覆通道的FinFET或GAA提高閘極控制力，維持接近理想的數值。為了實現突破60mV/dec極限的陡峭開關，穿隧FET與負電容FET也在研究中。反之，也有利用次臨界區微小電流、以超低功耗運作的電路。