DNP 的 EUV 光罩是以 EUV 曝光將電路圖案轉印到晶圓上的原版。大日本印刷（DNP）於 2024年12月宣布，已成功解析 2nm 世代以後邏輯半導體所需的微細圖案。
已解析線寬 17nm 的線距圖案（line & space），也完成對應 High-NA EUV 曝光之光罩的基本評估。2nm 世代用光罩的目標是在 2027年度量產供貨。
開發過程中也運用了與比利時研究機構 imec 的合作。
EUV 光罩的特點與規格
大日本印刷（DNP）・光罩
DNP 於 2024年成功解析 2nm 世代以後邏輯用 EUV 光罩所需的微細圖案，並開始提供對應高 NA 之光罩的評估品。
產品概要
主要規格
| 曝光方式 | EUV（含對應高 NA） |
|---|---|
| 世代 | 2nm 以後（預定 2027年度量產） |
| 主要用途 | 先進邏輯半導體 |
規格依廠商公開資料整理，實際規格與選配請以廠商資料為準。
主要特點
解析 2nm 世代以後所需的微細圖案
完成 High-NA EUV 用光罩的基本評估
以 2027年度量產供貨為目標
主要用途
- 2nm 世代以後的先進邏輯
- High-NA EUV 曝光
製造商
大日本印刷（DNP）（總部：日本）