最後更新:2026年10月23日製程監控器(EPD/OES)

電漿製程監測器 C10346-01的特點與規格

濱松光子(Hamamatsu Photonics)・製程監控器(EPD/OES)

濱松光子以寬頻即時偵測蝕刻・濺鍍・CVD 過程中電漿發光的設備。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

C10346-01 是濱松光子(Hamamatsu Photonics)的電漿製程監控器,為以寬波段即時偵測製程中電漿發光的光譜量測系統。

量測波長為 200~950nm,波長解析度 2nm 以下(FWHM),波長精度 ±0.75nm。具備各種分析功能,可透過 TTL 訊號輸出最多 5 個通道的判定結果。介面為 USB 2.0。

用於蝕刻或清潔的終點判定、藉推估電漿中化學物種進行狀態監控,以及偵測雜質混入或異常放電。對象製程為蝕刻、濺鍍、CVD 等。

主要規格

量測方式電漿發光光譜
監控項目終點判定・電漿物種推估・雜質/異常放電
主要用途蝕刻・清潔的終點偵測

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

即時偵測 200~950nm 的電漿發光
波長解析度 2nm 以下
TTL 判定輸出最多 5 個通道

主要用途

  • 蝕刻・清潔的終點判定
  • 電漿狀態監控・異常放電偵測

製造商

濱松光子(Hamamatsu Photonics)(總部:日本)

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資料來源

  1. 濱松光子(Hamamatsu Photonics)官方產品頁面:C10346-01