腔體（Chamber）是指半導體製造設備中，對晶圓進行薄膜沉積・蝕刻・熱處理等處理的密閉容器。英文意指「房間」，進行處理的腔體稱為製程腔體（處理室）。多數保持真空，內部配置有承載晶圓並控制溫度的載台（靜電吸盤或附加熱器的承載座，susceptor）、均勻供應氣體的噴淋頭、產生電漿的電極或線圈、控制壓力的排氣口等。
現今設備多採用在真空傳送腔（transfer chamber）周圍配置多個製程腔體與真空預抽室（load lock）的叢集式設備（多腔體）架構。晶圓不需暴露於大氣即可連續進行多道處理，因此可防止氧化與汙染，並藉由各腔體平行處理提升產能。以每次處理1片的單片式為主流，但氧化・擴散爐或LPCVD則使用一次處理100片左右的批次式反應管（爐管）。
反覆處理後，腔體內壁或零件上會附著薄膜或反應生成物，剝落時會成為微粒的來源。因此腔體內襯、聚焦環、噴淋頭等作為耗用零件定期更換・清洗，並在處理之間以電漿清潔（乾式清潔）去除沉積物。材料使用可耐受腐蝕性氣體或電漿的陽極氧化鋁或氧化釔熔射膜、石英、氧化鋁或SiC等陶瓷。讓同一設備多個腔體之間處理結果一致的腔體匹配（chamber matching），也是量產中的重要管理項目。