最後更新:2026年10月23日製程監控器(EPD/OES)

膜厚監測器 FE-300F的特點與規格

大塚電子(Otsuka Electronics)・製程監控器(EPD/OES)

大塚電子以光譜干涉法非接觸・非破壞量測膜厚的膜厚監控器。

目錄5 項
  1. 產品概要
  2. 主要規格
  3. 主要特點
  4. 製造商與在台據點
  5. 資料來源

產品概要

FE-300F 是大塚電子(Otsuka Electronics)的膜厚監控器。採用光干涉法,以分光光度計分析反射光譜,由折射率求得光學膜厚。

量測範圍以 SiO₂ 換算為 3nm~35µm,量測光斑直徑 φ1.2mm,波長範圍 300~800nm。可藉選擇分光光度計與光源來選擇量測範圍,並能量測絕對反射率,因此也可進行光學常數分析。

特點為小型、價格實惠且易於使用,具備即時監控與模擬功能。除了半導體的氧化膜・光阻・SiC・GaN 外,也用於透明導電膜、相位差膜、DLC 鍍膜、光學濾光片、液晶・有機 EL 零組件等的膜厚量測。

主要規格

量測方式光譜干涉(紫外區反射率量測)
監控項目膜厚 10 nm ~ 1.5 mm(最短 0.1 秒)
主要用途薄膜・厚膜的膜厚管理

規格依廠商公開資料整理,實際規格與選配請以廠商資料為準。

主要特點

以光干涉法量測膜厚
3nm~35µm(SiO₂ 換算),光斑 φ1.2mm
即時監控・模擬
小型・價格實惠

主要用途

  • 氧化膜・光阻等的膜厚監控
  • 功能性膜・光學零組件的膜厚量測

製造商

大塚電子(Otsuka Electronics)(總部:日本)

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資料來源

  1. 大塚電子(Otsuka Electronics)官方產品頁面:FE-300F