SR-4000HT的特點與規格

SR-4000HT 是大陽日酸（Taiyo Nippon Sanso，日本酸素控股集團）的 GaN 系 MOCVD 設備。基板為 2 吋×3 片或 4 吋×1 片的配置，用於研發與試產。

反應器為面朝上・水平氣流・旋轉式，由 3 層層流噴嘴（三重注入）供應氣體。以 2 區加熱器最高可加熱至 1,350°C，可進行高 InGaN 成長溫度，以及高 Al 成分 AlGaN 的成長。成長壓力為 10～100kPa，有機金屬管路 8 條，氫化物管路 2 條。

特點為高成長速率、靈活的碳背景濃度控制、優異的溫度控制與均勻性，用於 HEMT、PN 二極體、雷射，以及 RGB 至 UV 的 LED。有機櫃 4 台的 SR4000HT 與 3 台的 SR4000HT-RR。