大陽日酸(Taiyo Nippon Sanso)/MOCVD装置

SR-4000HT

大陽日酸の研究機関・試作向け SR シリーズの MOCVD 装置。量産向けには UR シリーズがある。

SR-4000HTとは

SR-4000HT は、大陽日酸(日本酸素ホールディングスグループ)の GaN 系 MOCVD 装置です。基板は 2 インチ×3 枚または 4 インチ×1 枚の構成で、研究開発や試作に使われます。

リアクターはフェイスアップ・横型フロー・回転式で、3 層の層流ノズル(トリプルインジェクション)からガスを供給します。2 ゾーンのヒーターで最高 1,350°C まで加熱でき、高い InGaN 成長温度や、Al 組成の高い AlGaN の成長が可能です。成長圧力は 10〜100kPa、有機金属ラインは 8、水素化物ラインは 2 です。

高い成長速度、柔軟な炭素バックグラウンド濃度の制御、優れた温度制御と均一性を特長とし、HEMT、PN ダイオード、レーザー、RGB から UV までの LED に使われます。キャビネット 4 台の SR4000HT と、3 台の SR4000HT-RR があります。

主な特長

  • •2 インチ×3 枚/4 インチ×1 枚
  • •2 ゾーンヒーターで最高 1,350°C
  • •高 Al 組成 AlGaN・高温 InGaN の成長
  • •フェイスアップ横型フロー(トリプルインジェクション)

主な仕様

対応材料AlN・AlGaN などワイドバンドギャップ材料
対応ウェハ径4 インチ × 1 枚/2 インチ × 3 枚(SR4000)
特徴研究開発向け SR シリーズ(量産は UR シリーズ)
主要用途パワーエレクトロニクス材料の研究開発

※ メーカーの公開情報に基づく参考値です。構成・オプションにより異なります。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

スペック比較

複数の機種が掲載している項目を並べています。

項目AIXTRONG10-GaNVeeco InstrumentsPropel® GaN MOCVD大陽日酸(Taiyo Nippon Sanso)SR-4000HT
対応材料GaNGaNAlN・AlGaN などワイドバンドギャップ材料
対応ウェハ径150 mm/200 mm200 mm4 インチ × 1 枚/2 インチ × 3 枚(SR4000)
特徴3 チャンバーのコンパクトなクラスター、50 枚のカセット搬送、全自動関連機種 Lumina(As/P 系・TurboDisc 技術)研究開発向け SR シリーズ(量産は UR シリーズ)
主要用途GaN パワー・RF デバイスGaN パワー・5G RF・フォトニクスパワーエレクトロニクス材料の研究開発

※ スペックは各メーカーの公開情報に基づく参考値です。メーカーが公表していない項目は「—」としています。正確な仕様はメーカーへお問い合わせください。

主な用途

  • •GaN HEMT・PN ダイオード
  • •レーザー・RGB〜UV LED

掲載カテゴリ

SR-4000HTは次の装置カテゴリで他社製品と並べて掲載しています。

メーカー

大陽日酸(Taiyo Nippon Sanso)

日本最大の産業ガスメーカー(三菱ケミカルグループ傘下)。半導体向け超高純度特殊ガス(SiH₄・HF・BF₃・Cl₂等)・超純液体窒素・液体ヘリウムを供給。世界20カ国以上に特殊ガス製造・供給拠点を持つ。

大陽日酸(Taiyo Nippon Sanso) の企業情報 →メーカー公式の製品ページ ↗

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出典・確認した公開情報
最終確認日:2026-10-06
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